IRFR4510場效應管參數中文資料 MOS管選型替代 生產廠家 - 壹芯微

IRFR4510場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：100V；電流(ID)：63A；封裝(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品質，原廠批量直銷，提供技術支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號

ID@TC=25°C 連續漏極電流，VGS@10V（Silicon Limited）63A

D@TC=100°C 連續漏極電流，VGS@10V（Silicon Limited）45A

ID@TC=25°C 連續漏極電流，VGS@10V（封裝受限）56A

IDM 脈沖漏極電流① 252A

PD @TC=25° 最大功耗 143W

線性降額系數 0.95W/°C

VG 柵源電壓 ±20V

TJ 工作結點 -55 至 +175°C

TST 儲存溫度范圍 -55 至 +175°C

焊接溫度，10 秒（距外殼 1.6mm） 300°C

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產與銷售，至今已有20年半導體行業研發、制造經驗。目前壹芯微產品已經在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網在線客服。