IRLR3114Z場效應管參數中文資料 選型替代 MOS管生產廠家 - 壹芯微

IRLR3114Z場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：40V；電流(ID)：130A；封裝(Pageke)：TO-252；

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ID@TC=25°C連續漏極電流，VGS@10V（Silicon Limited）130A

ID@TC=100°C連續漏極電流，VGS@10V（Silicon Limited）89A

ID@TC=25°C連續漏極電流，VGS@10V（封裝受限）42A

IDM脈沖漏極電流① 500A

PD@TC=25°C 功耗 140W

線性降額因數0.95W/°C

VGS 柵源電壓 ±16V

EAS (Thermally Limited) 單脈沖雪崩能量② 130mJ

EAS (Tested) 單脈沖雪崩能量測試值⑥ 260mJ

IAR雪崩電流① 見圖12a、12b、15、16A

EAR 重復雪崩能量見圖 12a、12b、15、16mJ

TJ 工作結和 -55 至 +175°C

TSTG 儲存溫度范圍 -55 至 +175°C

回流焊接溫度，10 秒 300°C

安裝扭矩，6-32 或 M3 螺絲 10Ibf·in(1.1n·m)

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產與銷售，至今已有20年半導體行業研發、制造經驗。目前壹芯微產品已經在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網在線客服。