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[技術文章]SN74HC14DR 典型應用電路[ 2024-05-16 10:50 ]

SN74HC14DR 是一款常用的CMOS型六通道反相器芯片。它在電子電路設計中有著廣泛的應用場景，以下將詳細介紹其應用場景和參數特點。一、應用場景：1. 數字信號處理： SN74HC14DR 可用于數字信號的處理和邏輯電路設計。其高速的反相功能使其成為數字電路中的重要組成部分，用于時序控制、信號處理等方面。2. 振蕩器電路：在振蕩器電路中， SN74HC14DR 可以被用作晶體振蕩器的一部分，通過反相輸出來產生穩定的振蕩信號，常見于時鐘電路和頻率合成。3. 數字邏輯電路：作為反相器， SN74HC14DR 可

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[常見問題解答]如何通過TVS優化CMOS IC在系統級ESD測試中的性能[ 2024-05-10 09:50 ]

一、簡介：系統級 ESD 測試中 TVS 的關鍵作用微電子系統為了滿足高級別的抗擾擾度標準，需要在系統級靜電放電（ESD）測試中保持至少 8kV 的電壓承受能力。為此，通常在印刷電路板（PCB）上添加瞬態電壓抑制器（TVS），保護敏感的 CMOS 集成電路不受高電壓的損害。這些 TVS 設備通常位于重要的輸入輸出（I/O）端口和電源引腳附近，通過其低保持電壓吸收和分散高電流，減少由于靜電放電產生的熱量。二、實驗設置及其目的為了模擬真實的微電子系統環境，我們設立了一個實驗模型，其中包括兩個 CMOS 反相器，一個作為

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[技術文章]1N4148WT 典型應用電路[ 2024-05-06 16:36 ]

1N4148WT是一種常見的快恢復二極管，具有廣泛的應用場景和一些特殊的參數特點。一、應用場景：1. 1N4148WT常用于電子電路中的整流、開關和保護電路。例如，它可以用作信號整流器，將交流信號轉換為直流信號。2. 在數字電路中，1N4148WT可用于邏輯門、反相器和穩壓器等應用。其快速開關特性使其適用于高頻電路。3. 1N4148WT還常見于功率供應和充電電路中，用于防止反向電壓損壞電子元件。二、參數特點：1. 1N4148WT具有較高的反向擊穿電壓，通常在75V至100V之間。這使得它能夠承受一定程度的反向電

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[技術文章]CD40106 典型應用電路[ 2024-04-25 11:08 ]

CD40106是一款多功能的數字邏輯芯片，內部集成了六個反相器。盡管最初設計用于數字邏輯電路，但在特定的電路連接下，它可以實現各種信號變換和處理功能。一、應用場景：1. 方波轉正弦波：通過將CD40106配置為RC振蕩器，可以將方波輸入轉換為正弦波輸出。調整外部電路中的電阻和電容，可實現穩定的正弦波輸出。2. 方波轉三角波：同樣，通過調整RC振蕩器的參數，可將方波輸入轉換為三角波輸出。在音頻電路和信號處理中常見。3. 頻率分頻：將CD40106的反相器配置為分頻器，可將輸入信號的頻率進行分頻。在數字邏輯電路和計時電

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[技術文章]74HC04 典型應用電路[ 2024-04-20 15:59 ]

74HC04 是一款六路反相器芯片，廣泛應用于數字電路中。下面是對74HC04的應用場景和參數特點的詳細介紹：一、應用場景1. 信號反轉：74HC04 主要用于將輸入信號進行反轉輸出，例如將高電平信號轉換為低電平信號，或反之。這在需要邏輯狀態反轉的場合非常有用。2. 振蕩電路：由于其反相功能，74HC04 可以構建簡單的RC振蕩器。這種應用在生成定時脈沖或驅動數字時鐘電路中尤為常見。3. 信號整形：74HC04 也常用于信號整形，用于消除數字信號中的噪聲和穩定信號邊沿，確保電路的可靠運行。4. 驅動能力：在需要驅動

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[常見問題解答]怎么用三極管或者MOS管實現反相器[ 2023-07-24 16:04 ]

怎么用三極管或者MOS管實現反相器在電子電路中可以看到用三極管實現的反相器。當輸入端給高電平的時候，那么輸出端就輸出低電平；當輸入端給低電平的時候，那么輸出端就輸出高電平。一般使三極管能在飽和狀態與截止狀態工作時就能夠實現反相器的功能，也就是說三極管要能夠工作在開關量的狀態。那么要使三極管電路處于適合開關量的工作狀態必須給三極管外圍加裝適合的外圍電阻，例如下圖所示，可以用PNP和NPN兩種類型的三極管，在其基極上接一個10千歐的電阻，在其集電極上接一個1.5千歐的電阻，為了使三極管能可靠的截止，還要加接一個20K的

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[常見問題解答]反相器與電壓跟隨器原理圖文介紹[ 2023-05-13 15:03 ]

反相器與電壓跟隨器原理圖文介紹1 反相器如上圖所示，如果令反相比例運算放大器中的電阻R1 = Rf = R，R2 = R/2，則就可以得到：Vout = -Vin即輸入電壓與輸出電壓大小相等，相位相反。其電路結構也可以簡化為：2 電壓跟隨器如上圖所示，如果令同相比例運算放大器中的電阻R1 = 0 Ω或者Rf = ∞，則就可以得到：Vout = Vin即輸入電壓與輸出電壓大小相等，相位也相同。其電路結構也可以簡化為：壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場效應管)、橋堆”研發、生產

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[常見問題解答]共發射極放大電路極性問題介紹[ 2023-04-20 18:00 ]

共發射極放大電路極性問題介紹三極管接成共發射極電路時，輸入信號與輸出信號的相位相差180度，所以也稱為反相器，也就是倒相。這是因為集電極接一個電阻RC,集電極輸出電壓VCE與電源電壓EC、集電極電阻電壓VRC之間有如下關系：Ec=VRc+Vce,也就是Ec-VRc=Vce，因為VRc=Ic*Rc,Ic=βIB當三極管基極輸入一個正極性信號時（正弦波的正半周信號），基極電流Ib向增大方向變化，集電極電流Ic隨之增大，VRc=Rc*Ic也增大，使Vce減小，輸出電壓向減小方向變化。所以說，基極電壓輸入正半周，集電極電壓

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[常見問題解答]三極管反相器的電路圖介紹[ 2022-12-08 15:27 ]

這是一個反相器電路，從邏輯電路來講又叫非門電路。圖中RB1(15K)電阻是輸入電阻，它的下端是信號輸入端，不應接地，應接輸入信號（見下圖），RB2電阻為偏置電阻，當輸入端電壓=0時，RB1與RB2分壓使G2管基極電壓為負值，使G2管發射極反偏，確保G2管可靠截止，當輸入端電壓正電壓時（如=+6V），RB1與RB2分壓值高于G2管發射結正偏電壓，發射結導通，使G2管飽和導通。見下圖：圖中虛線框內畫的是前一級輸出電路，與樓主電路的輸入電阻RB1相連接，當前級G1管導通時，其輸出電壓=0，RB1與RB2分壓，使G2管基極

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[常見問題解答]采用光電隔離的SIPMOS晶體管控制電路圖介紹[ 2022-11-29 15:25 ]

輸入端經過電阻R2接地，以使其輸出端在電源電壓降至4V時還是開路的，即兩個推挽輸出晶體管保持在截止狀態。這樣可使電源電壓在上升至3V左右時光耦輸出側仍為低電平，以使后接的六反相器4049能控制SIPMOS晶體管。在工作階段，光耦輸出端開路，使六反相器輸出端為高電平，而輸出端為低電平。壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場效應管)、橋堆”研發、生產與銷售，20年行業經驗，擁有先進全自動化雙軌封裝生產線、高速檢測設備等，研發技術、芯片源自臺灣，專業生產流程管理及工程團隊，保障所生產每一批物料質

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[常見問題解答]升壓正負12V電源電路設計介紹[ 2022-11-14 14:57 ]

一些電路工作時需要使用正、負電源，比如運算放大器，工作時經常要用到這樣的正、負電源，這里介紹一款使用門電路來制作的電源變換器，可以將6V直流電源轉換成士6V對稱電源。電路原理圖如下所示。本電路由振蕩器和倍壓器兩部分組成。振蕩器由2組串聯的反相器和R1、R2、C1等組成，其中IC1A、IC1B、IC1C三個反相器并聯在一起構成一組，IC1D、IC1E、IC1F三個反相器并聯在一起構成另一組，這樣接法是為了增大輸出電流，從而可以帶動較大負載。電解電容C2、C4和二極管VD1、VD2構成一個倍壓電路，另一個倍壓電路由電解

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[常見問題解答]節能LED燈電路方案設計分析[ 2022-11-12 11:23 ]

本設計采用 12V 蓄電池供電，可點亮節能燈，電路工作原理如下圖所示。圖中 IC 是 CMOS 反相器，其內部非門 1、2 與 R1 和 C1 組成頻率為 15KHz 的方波發生器。經 IC 內部非門 3 緩沖后，送入內部非門 4、5 和 6，三個非門的輸入、輸出端并聯一起推動逆變管 VT 工作，以增大激勵電流。經 VT 放大后的方波電壓通過 T 和 C4 等元件組成的諧振升壓電路后，可達到 350V 左右的空載電壓，并形成近似正弦波的電流，可點燃 5～18W 的節能燈。在元器件選擇方面，集成電路 IC 選用 CM

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[常見問題解答]或非門電路圖怎么畫與邏輯功能介紹[ 2022-10-24 18:37 ]

或非門（英語：NOR gate）是數字邏輯電路中的基本元件，實現邏輯或非功能。有多個輸入端，1個輸出端，多輸入或非門可由2輸入或非門和反相器構成。只有當兩個輸入A和B為低電平（邏輯0）時輸出為高電平（邏輯1）。也可以理解為任意輸入為高電平（邏輯1），輸出為低電平（邏輯0）。有關“或非門電路圖怎么畫或非門電路的邏輯功能”的話題，下面將給出詳細說明。（圖片來源于互聯網）一、或非門電路圖怎么畫或非門有3種邏輯符號，包括：形狀特征型符號（ANSI/IEEEStd 91-1984）、IEC矩形國標符

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[常見問題解答]三極管開關電路圖-三極管反相器電路介紹[ 2021-02-24 10:59 ]

三極管開關電路圖-三極管反相器電路介紹1 NPN PNP三極管反相器電路 vin無輸入電位Q1截止。Vin高電平時Q1導通，Q2基極得高電位，Q2截止。圖2 兩只NPN三極管反相器電路 vin無輸入電位Q1截止,Q2導通。Vin接入高電平Q1導通，促使Q2基極電位下級,Q2截止。三極管開關電路圖-三極管反相器電路圖3 PNP三極管開關電路當輸入端懸空時Q1截止。VIN輸入端接入低電平時，Q1導通，繼電器吸合。838電子圖4 PNP三極管開關電路當vin無輸入電位時Q1截止。Vin接入高電平Q1導通，

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[常見問題解答]使用碳化硅MOSFET提升工業驅動器的能源效率詳情[ 2020-06-27 15:43 ]

使用碳化硅MOSFET提升工業驅動器的能源效率詳情目前工業傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近開發的碳化硅MOSFET元件，為這個領域另外開闢出全新的可能性。主要的技術關鍵推手和應用限制以反相器為基礎的傳動應用，最常見的拓撲就是以6個電源開關連接3個半橋接電橋臂。每一個半橋接電橋臂，都是以歐姆電感性負載（馬達）上的硬開關換流運作，藉此控制它的速度、位置或電磁轉距。因為電感性負載的關係，每次換流都需要6個反平行二極體執行續流相位。當下旁（lower side）飛輪二極體呈現反向恢復，

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[常見問題解答]CMOS的柵極-雙極型晶體管-P溝道MOSFET[ 2019-09-18 11:33 ]

圖14.23(a)為- CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強型MOSFET；對PMOS器件而言，閾值電壓VTn小于零，而對NMOS器件而言，閾值電壓VTn大于零（通常閾值電壓約為1/4VDD）．當輸入電壓Y1為接地或是小的正電壓時，PMOS器件導通(PMOS柵極-地間的電勢為-VDD，較vTp更小)，而NMOS為關閉狀態．因而，輸出電壓Vo十分接近VDD。（邏輯1）．當輸入為VDD時，PMOS(Vcs=0)為關閉狀態，而NMOS為導通狀態(Vi=VDD，>VTn)．所以

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[常見問題解答]CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應措施解析[ 2019-09-17 11:17 ]

cmos應用在CMOS應用中能同時將p溝道mos管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴散步驟，以便在襯底中成“阱”或“盆(tub)”．阱中的摻雜種類與周圍襯底不同．阱的典型種類有p阱、n阱以及雙阱．阱技術的詳細內容將于第14章中討論．圖6. 31為使用p阱技術制作的CMOS反相器的剖面圖．在此圖中，p溝道與n溝道MoSFET分別制作于n型硅襯底以及p阱之中．cmos電路CMOS電路的阱結構最主要的問題在于閂鎖現象，閂鎖是由阱結構中寄生的pn&md

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