〔壹芯〕生產7N65場效應管7A-650V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：7N65　　　　　　　極性：N

IDA(A)：7　　　　　　　VDSS(V)：650

RDS(on)　MAX(Ω)：1.4　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：6.5　Vgs(V)：40　Io(A)：3.5

封裝：TO-252 TO-220

功率MOSFET

功率場效應管（Power MOSFET）是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力，而且有驅動功率小、開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。

功率場效應晶體管導電機理與小功率絕緣柵MOS管相同，但結構有很大區別。小功率絕緣柵MOS管是一次擴散形成的器件，導電溝道平行于芯片表面，橫向導電。電力場效應晶體管大多采用垂直導電結構，提高了器件的耐電壓和耐電流的能力。按垂直導電結構的不同，又可分為2種：V形槽VVMOS和雙擴散VDMOS。

功率場效應管采用多單元集成結構，一個器件由成千上萬個小的MOSFET組成。N溝道增強型雙擴散電力場效應晶體管一個單元的部面圖，如圖5-19（a）所示。電氣符號如圖5-19（b）所示。

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