〔壹芯〕生產7N60場效應管7A-600V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：7N60　　　　　　　極性：N

IDA(A)：7　　　　　　　VDSS(V)：600

RDS(on)　MAX(Ω)：1.25　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：6.5　Vgs(V)：40　Io(A)：3.5

封裝：TO-252 TO-220

MOSFET原理（以N溝增強型為例）

由圖5-18可以看出， MOSFET襯底材料為P型硅，源區和漏區均為N+區，在柵極電壓為零時，由于氧化層中正電荷的作用使半導體表面耗盡但未形成導電溝道，當在柵極加上正電壓時，表面有耗盡層變為反型層，當V_GS=V_T（闕值電壓）表面發生強反型，即形成N型溝道，則此時加在柵極上的電壓即為MOS管的開啟電壓，在此時如果在漏源之間加正電壓，電子能夠從源極流向漏極，形成漏極向源極的電流。

MOSFET的源區和漏區在結構上是對稱的，工作中的器件的源極和漏極由外加電壓極性確定。但是一些分立器件和集成電路中的部分晶體管在圖形設計時常常將源極和襯底連接在一起，這類器件的源極和漏極是固定的。

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