〔壹芯〕生產10N65場效應管7A-650V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：10N65　　　　　　　極性：N

IDA(A)：10　　　　　　　VDSS(V)：650

RDS(on)　MAX(Ω)：1.0　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：6.2　Vgs(V)：40　Io(A)：5.0

封裝：TO-220

場效應管的主要性能參數

本文再次主要以VDMOS(垂直雙擴散MOS)為例進行介紹。VDMOS的結構如圖5-20所示。

VDMOS的電性能參數如下。

（1）闕值電壓（開啟電壓）VGS(th)：柵電壓產生的電場控制著源漏間溝道區域流子的使溝道區源端呈強反型時的柵源電壓稱為閾值電壓VGS。對于增強型場效應管為開啟電壓，對于耗盡型和結型場效應管為夾斷電壓。

（2）漏-源擊穿電壓 V(BR)DSS：漏一源擊穿電壓為場效應管進入恒流區后，使漏極電流驟然大的漏一源極間電壓VDS電壓即為漏-源擊穿電壓。此參數為極限參數，超過此電壓場效管會損毀。

（3）柵極漏電流IGss：柵極漏電流測試是測試柵極在一定的電壓條件下的漏電流，其測件將設置VDs=0，并將柵極電壓設置規定值進行柵極漏電流測試，此參數測試包括正向漏電流和反向漏電流兩個參數

（4）漏極漏電流IGss：漏極漏電流測試是測試漏極在一定的電壓條件下的漏電流，其測條件將設置VGS=0，并將漏極電壓設置規定值，進行漏極漏電流測試。

（5）導通電阻RDS(on)：導通電阻說明了漏極和源極電壓對漏極電流的影響，是轉移特性曲線的某點切線的斜率。對一般絕緣柵型場效應管的導通電阻一般在幾百Ω以內。

（6）跨導gfs：跨導表示柵極和源極電壓對漏極電流的控制能力，即漏極電流變化量和柵一源電壓的變化量的比值。跨導是衡量場效應管放大能力的重要參數所示。

（7）開通延遲時間td(on)、上升時間tr、關斷延遲時間td(off)、下降時間tr：定義如圖5-21所示。

圖5-21開通延遲時間，上升時間，關斷延遲時間，下降時間

（8）寄生二極管正向壓降VSD、反向恢復時間t（普通場效應管無此參數）：這是表征漏源極管的特性參數，它的正向壓降與普通二極管相同，反向恢復時間trr與普通整流管的相近。

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