〔壹芯〕生產120N03場效應管120A-30V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：120N03　　　　　　極性：N

IDA(A)：120　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0038　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：48　Vgs(V)：10　Io(A)：40

封裝：TO-220 TO-252

VVMOSFET的科普知識

根據結構形式的不同，VMOSFET分為VVMOSFET和VDMOSFET兩種基本類型。

VVMOSFET結構形式是美國雷達半導體公司在1975年首先提出的，其結構如圖1.4所示，它是在N⁺型高摻雜濃度的硅片墊底上外延生長N_-型漂移區，在N高阻漂移區內選擇地擴散出P型溝道體區，再在P型溝道體區內選擇地擴散N⁺源區。

利用各向異性腐蝕技術刻蝕出V形槽，槽底貫穿過P型體區。在V形槽的槽壁處形成金屬-氧化膜-半導體系統。N⁺型和N^-型區共同組成器件的漏區，漏區與體區的交界面是漏區PN結。體區與源區的交界面是源區PN結。由于源區和體區總是被短路在一起由源極引線引出，因此源區PN結處于零偏置狀態，而漏區PN結處于反向偏置狀態。

當柵極上加以適當的電壓時，由于表面電場效應，就會在P型體區靠近V形槽壁的表面附近形成N型反型層，成為溝通源區和漏區的導電溝道。這樣電流從N⁺區源極出發，經過溝道流到N^-漂移區，然后垂直地流到漏極，首次改變了MOSFET電流沿表面水平方向流動的傳統概念，實現了垂直導電。

這一從橫到縱、從水平到垂直的改變是MOS功率器件的重大突破。這一突破，為解決大電流技術難題奠定了基礎。從結構上說，由于漏極是裝在硅片襯底上的，因此不僅充分利用了硅片面積，而且實現了垂直傳導電流，可以獲得大的電流容量。

在器件中間設置的N^-型高阻漂移區，不僅提高了耐壓，還減少了柵電容。雙重擴散技術精確地控制了短溝道，從而使溝道電阻值降低，使VVMOS-FET的工作頻率和開關速度大為提高。在芯片背面安裝漏極可以做到高度集成化，但是V形槽溝道的底部容易引起電場集中，故繼續提高耐壓能力有困難，為此又將槽底改為平的，這種結構則稱為V形槽MOSFET。

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