〔壹芯〕生產100N03場效應管100A-30V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：100N03　　　　　　　極性：N

IDA(A)：100　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0042　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：40　Vgs(V)：10　Io(A)：30

封裝：TO-220 TO-252

圖(l.3)N溝道和P溝道MOSFET的圖形符號

電力MOSFET研究的目的主要是解決MOS器件的大電流、高電壓問題，以提高其功率處理能力。它既要保持MOS器件場控的優點，又要吸收GTR的長處，因此其關鍵是如何既保留溝道又能實現垂直導電。由垂直導電結構組成的場控晶體管稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），VMOSFET在傳統的MOS器件基礎上做了下述三項重大改進：

①垂直地安裝漏極，實現了垂直傳導電流，將在原MOS結構中與源極和柵極同時水平安裝在硅片頂部的漏極改裝在硅片的底面上，這樣充分利用了硅片面積，基本上實現了垂直傳導漏-源極電流，降低了串聯電阻值，為獲得大電流容量提供了前提條件。

②模仿GTR設置了高電阻率的N^-移區，不僅提高了器件的耐壓容量，而且降低了結電容，并使溝道長度穩定。

③采用雙重擴散技術替代光刻工藝控制溝道長度，可以實現精確的短溝道，降低溝道電阻值，提高了工作頻率，并使輸出特性具有良好的線性。

根據結構形式的不同，VMOSFET又分為VVMOSFET和VDMOSFET兩種基本類型。

<壹芯微科技>專注二三極管領域研發制造，針對二三極管作出了良好的性能測試，產品廣泛應用于電源、LED照明、光伏、儀表儀器、數碼產品、各種小家電等領域。如果您遇到需要幫助解決的問題，可以點擊頁面右側咨詢工程師、或銷售經理為您提供精準的產品報價與介紹。