〔壹芯〕生產(chǎn)80N07場(chǎng)效應(yīng)管80A-70V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETS)

型號(hào)：80N03　　　　　　　極性：N

IDA(A)：80　　　　　　　VDSS(V)：70

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0085　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：60　Vgs(V)：20　Io(A)：40

封裝：TO-220 TO-252

VDMOSFET的知識(shí)科普

垂直導(dǎo)電的雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)稱為VDMOSFET，其典型結(jié)構(gòu)如圖1.5所示。

溝道部分是由同一擴(kuò)散窗利用兩次擴(kuò)散形成的P型體區(qū)和N⁺型源區(qū)的擴(kuò)散深度差形成的，溝道長(zhǎng)度可以精確控制。電流在溝道內(nèi)沿表面流動(dòng)，然后垂直地被漏極吸收。由于漏極也是從硅片底部引出，所以可以高度集成化。漏-源極間施加電壓后，由于耗盡層的擴(kuò)散使柵極下的MOSFET部分幾乎保持在一定的電壓下，因此可使耐壓提高。

在這種結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，VDMOSFET在高集成度、高耐壓、低反饋電容和高速性能方面不斷改進(jìn)提高，出現(xiàn)了諸如TMOS、HEXFET、SIP-MOS、Ω-MOS等一大批結(jié)構(gòu)各異的新器件。它們采用新的結(jié)構(gòu)圖形把成千上萬(wàn)個(gè)MOS-FET單元并聯(lián)連接，實(shí)現(xiàn)了大電流化。

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