UTT60N10L-TN3-R(MOS場效應管) UTT60N10L-TN3-R參數中文資料 - 壹芯微

UTT60N10L-TN3-R場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：100V；電流(ID)：60A；封裝(Pageke)：TO-252；

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RDS(ON)=18mΩ @ VGS=10V,ID=20A

高開關速度

高電流容量

低柵極電荷（典型值為 50nC）

Drain-Source Voltage漏源電壓VDSS 100 V

Gate-Source Voltage柵源電壓 VGSS ±20 V

Drain Current Continuous連續ID 60 A 漏極電流

Pulsed脈沖IDM 100 A

Avalanche Energy Single Pulsed雪崩能量單脈沖EAS 270 mJ

TO-220 100瓦

TO-220F1 70瓦

TO-252 114 W Power Dissipation功耗

TO-3P PD 118瓦

結溫TJ 150°C

儲存溫度TSTG -55~150°C

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