ATP404 TO252場效應MOS管參數規格書 選型替換 - 壹芯微

ATP404場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：60V；電流(ID)：95A；封裝(Pageke)：TO-252；

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漏源電壓 VDSS 60 V

柵源電壓 VGSS ±20 V

漏極電流 (DC) ID 95 A

漏極電流（脈沖）IDP PW≤10μs，占空比≤1% 380 A

允許功耗 PD Tc=25°C 70 W

通道溫度 Tch 150 °C

存儲溫度 Tstg --55 至 +150 °C

雪崩能量（單脈沖）*1 EAS 214 mJ

雪崩電流 *2 IAV 48 A

注：*1 VDD=30V，L=100μH，IAV=48A

*2 L≤100μH，單脈沖

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