壹芯微 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管) STD70N10F4 N溝道 100V,60A 貼片TO-252多種封裝

STD70N10F4場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)及代換,STD70N10F4封裝引腳圖,STD70N10F4中文資料規(guī)格書(shū)下載

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STD70N10F4場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)如下：

極性：NPN

Drain-Source Voltage漏源電壓 V_DSS：100V

Gate-Source Voltage柵源電壓 V_GSS：±20V

Drain Current(Continuous)漏極電流連續(xù)(at T_C+25°C) I_D：65A/60A

Drain Current(Continuous)漏極電流連續(xù)(at T_C+100°C) I_D：46A/43A

Total Dissipation總功耗(at T_C+25°C) P_TOT：150W/125W

Storage Temperature儲(chǔ)存溫度 T_STG：-55~175°C

Max.operating junction temperature最大工作結(jié)溫 T_J：-55~175°C

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