STD80N10F7選型替代場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微

STD80N10F7(N溝道增強型場效應晶體管)；STD80N10F7場效應管參數；STD80N10F7場效應管封裝引腳圖；STD80N10F7場效應管中文資料規格書(PDF)；

電流(ID)：70A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252

產品概要

STD80N10F7 100V 0.01Ω 70A 85W

STF80N10F7 100V 0.01Ω 40A 30W

STH80N10F7-2 100V 0.0095Ω 80A 110W

STP80N10F7 100V 0.01Ω 80A 110W

極低的柵極電荷

超低導通電阻

低柵極輸入電阻

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）

VDS漏源電壓：100V

VGS柵源電壓：±20V

ID TC=25°C時的漏極電流（連續）：70/80/40A

ID TC=100°C時的漏極電流（連續）：48/54/30A

IDM⁽¹⁾漏極電流（脈沖）：280/320/160A

PTOT TC下的總耗散=25°C：85/110/30W

Tstg儲存溫度：-55至175°C

Tj最大值工作結溫：-55至175°C

1. 脈沖寬度受安全工作區限制。

壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下

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