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        FDD8444_F085場效應(yīng)管參數(shù)中文資料(PDF) 選型替換 現(xiàn)貨廠商 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-09 瀏覽:-

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        FDD8444_F085(N溝道增強型場效應(yīng)晶體管);FDD8444_F085場效應(yīng)管參數(shù);FDD8444_F085場效應(yīng)管封裝引腳圖;FDD8444_F085場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF);

        電流(ID):145A,電壓(VDSS):40V,封裝形式:TO252

        FDD8444_F085

        產(chǎn)品概要

        典型RDS(on)=4mW,VGS=10V,ID=50A

        Typ Qg(10)=89nC,VGS=10V,ID=50A

        低米勒電荷

        低Qrr體二極管

        UIS能力(單脈沖/重復(fù)脈沖)

        符合RoHS

        符合AECQ101

        絕對最大額定參數(shù)(TC=25C,除非另有說明)

        VDSS漏源電壓:40V

        VGS柵源電壓:±20V

        ID漏極電流連續(xù) (VGS=10V):50A

        ID脈沖 圖:4A

        EAS單脈沖雪崩能量(注 1:535mJ

        PD功耗:153W

        25°C以上PD降額:1.02W/°C

        TJ、TSTG操作和儲存溫度:-55至+175 °C

        RqJC結(jié)到外殼的熱阻:0.98 °C/W

        RqJA熱阻結(jié)到環(huán)境,1in2銅焊盤面積:52 °C/W

        FDD8444_F085參數(shù)

        壹芯微科技(Yixin)國內(nèi)知名功率半導(dǎo)體制造商。主要生產(chǎn)各式貼片/直插,肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復(fù)、低壓降、場效應(yīng)管(MOSFET)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設(shè)備、配備高標準可靠性測試實驗室等,對每一批產(chǎn)品質(zhì)量嚴控把關(guān);壹芯微首席工程師曾多年服務(wù)于臺灣強茂,有著豐富的研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗,為各行業(yè)應(yīng)用提供完美的解決方案與技術(shù)支持。如需報價或了解更多,歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服或聯(lián)系以下

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