來源：壹芯微 發布日期
2021-10-20 瀏覽：-壹芯微 MOS(場效應管) SM1A06NSU N溝道 100V,60A 貼片TO-252多種封裝
SM1A06NSU場效應管參數及代換,SM1A06NSU封裝引腳圖,SM1A06NSU中文資料規格書下載
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SM1A06NSU場效應管參數如下：
極性：NPN
Drain-Source Voltage漏源電壓 VDSS：100V
Gate-Source Voltage柵源電壓 VGSS：±25V
Continuous Drain Current漏極電流連續(at TC+25°C) ID：60A
Continuous Drain Current漏極電流連續(at TC+100°C) ID：35A
Maximum Power Dissipation總功耗(TC+25°C) PD：113W
Maximum Power Dissipation總功耗(TC+100°C) PD：45W
Maximum Junction Temperature工作結溫 TJ：150°C
Storage Temperature儲存溫度 TSTG：-55~1750°C
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