SM1A06NSU TO-252 MOS管100V 60A N溝道 大功率

SM1A06NSU(N溝道增強型場效應(yīng)晶體管)；SM1A06NSU場效應(yīng)管參數(shù)；SM1A06NSU場效應(yīng)管封裝引腳圖；SM1A06NSU場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF)；

電流(ID)：60A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252

產(chǎn)品概要

100V/60A,

RDS(ON)=17mW (Max.) @VGS=10V

可靠且堅固

提供無鉛和綠色器件

(符合 RoHS)

絕對最大額定參數(shù)（TC=25C，除非另有說明）

Drain-Source Voltage 漏源電壓：100V

Gate-Source Voltage 柵源電壓：±25V

Maximum Junction Temperature 最高結(jié)溫：150°C

Storage Temperature Range 儲存溫度范圍：-55 to 150°C

Diode Continuous Forward Current 二極管連續(xù)正向電流TC=25°C：30A

Continuous Drain Current 持續(xù)漏極電流TC=25°C：60A

Continuous Drain Current 持續(xù)漏極電流TC=100°C：35A 

Pulsed Drain Current 脈沖漏極電流TC=25°C：150A

Maximum Power Dissipation 最大功耗TC=25°C：113W

Thermal Resistance-Junction to Case 熱阻-結(jié)到外殼TC=100°C：45W

Continuous Drain Current 持續(xù)漏極電流：1.1°C/W

Maximum Power Dissipation 最大功耗TA=25°C：8.2A

Thermal Resistance-Junction to Ambient 熱阻-結(jié)到環(huán)境TA=70°C：6.6A

Avalanche Current, Single pulse 雪崩電流，單脈沖L=0.5mH：26A

Avalanche Energy, Single pulse 雪崩能量，單脈沖L=0.5mH：169mJ

注a：脈寬受最大限制。結(jié)溫。

注 b：經(jīng)過 UIS 測試，脈寬受限于最高結(jié)溫 150oC（初始溫度 Tj=25oC）。

注c：1in2表面貼裝墊區(qū)。

壹芯微科技（Yixin）國內(nèi)知名功率半導(dǎo)體制造商。主要生產(chǎn)各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復(fù)、低壓降、場效應(yīng)管(MOSFET)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設(shè)備、配備高標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試實驗室等，對每一批產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)控把關(guān)；壹芯微首席工程師曾多年服務(wù)于臺灣強茂，有著豐富的研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，為各行業(yè)應(yīng)用提供完美的解決方案與技術(shù)支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服或聯(lián)系以下

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