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        SSF5NS70D場效應管參數中文資料 現貨替代 廠家直營 - 壹芯微

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        SSF5NS70D場效應管參數中文資料 現貨替代 廠家直營 - 壹芯微

        SSF5NS70D

        型號:SSF5NS70D 極性:N溝道;電壓:700V 電流:5A;封裝:TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

        SSF5NS70D參數中文資料,SSF5NS70D封裝管腳引腳圖,SSF5NS70D規格書:查看下載

        SSF5NS70D

        SSF5N50D的概述:

        SSF5NS70G/D/F系列MOSFET是一項新技術,結合了創新技術和推進過程。 這項新技術實現了低Rdson、節能、高可靠性和均勻性、卓越的功率密度和節省空間。

        SSF5N50D的特性:

        高dv/dt和雪崩能力

        100%雪崩測試

        低輸入電容和柵極電荷

        低柵極輸入電阻

        SSF5NS70D

        SSF5N50D絕對最大額定值(TC = 25°C,除非另有說明):

        ID@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent持續漏極電流,VGS@10V:5①A

        ID@TC=100°C,ContinuousDrainCurrent持續漏極電流,VGS@10V:3.1①A

        IDM,PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流②:15A

        PD,@TC=25°C,PowerDissipation功耗③

        TO-251/TO-252,Package封裝:50W

        TO-220F,Package封裝:31.2W

        PD@TC=25°C,CLinearDeratingFactor線性降額因數

        對于TO-251/TO-252,Package封裝:0.4W/°C

        對于TO-220F,Package封裝:0.25W/°C

        VDS,Drain-SourceVoltage漏源電壓:700V

        VGS,Gate-to-SourceVoltage柵源電壓:±30V

        EAS,SinglePulseAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量@L=22.4mH:54mJ

        IAR,AvalancheCurrent雪崩電流@L=22.4mH:2.2A

        TJ,TSTG,OperatingJunctionandStorageTemperatureRange工作結點和存儲溫度范圍:-55to+150°C

        SSF5NS70D

        壹芯微SSF5NS70D規格書下還有熱特性,靜態特性與電氣參數等,建議自行閱讀觀看。


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        【本文標簽】:SSF5NS70D 場效應管 MOS管

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