5N70場效應管參數,5N70參數規格書代換

5N70Z - Power MOSFET(功率MOS場效應管)

5A,700V LOGIC N-CHANNEL MOSFET

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5N70Z的概述：

5N70Z是一款N溝道增強型MOSFET，它采用先進技術為客戶提供最小的導通電阻、高開關速度和低柵極電荷。 它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。

5N70Z適用于高效開關DC/DC轉換器、電機控制和開關模式電源。

5N70Z的特性：

*RDS(ON)<2.5Ω @ VGS=10V

*低柵極電荷(Typ=4.8nC)*低CRSS(Typ=6.0pF)

*高切換速度

*ESD能力

5N70Z的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：700V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±20V

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),I_AR：5A

DrainCurrentContinuous漏極電流持續,I_D：5A

DrainCurrentPulsed漏極電流脈沖(注2),I_DM：20A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),E_AS：100mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(注2),E_AR：10mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F2,PD：36W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD：28W

JunctionTemperature結溫,T_J：+150°C

OperationTemperature工作溫度,T_OPR：-55~+150°C

StorageTemperature儲存溫度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2.重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。

3.L=6.2mH，IAS=5A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C。

4.ISD≤4.5A，di/dt≤300A/µs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

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