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        SSF5N50D場效應(yīng)管,SSF5N50D參數(shù)中文資料 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-30 瀏覽:-

        SSF5N50D場效應(yīng)管,SSF5N50D參數(shù)中文資料 - 壹芯微

        SSF5N50D

        型號(hào):SSF5N50D 極性:N溝道;電壓:500V 電流:5A;封裝:TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

        SSF5N50D參數(shù)中文資料,SSF5N50D封裝管腳引腳圖,SSF5N50D規(guī)格書:查看下載

        SSF5N50D

        SSF5N50D的概述:

        SSF5N50D它利用最新的處理技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高細(xì)胞密度并減少高重復(fù)雪崩等級(jí)。 這些功能相結(jié)合,使這種設(shè)計(jì)非常用于電源開關(guān)應(yīng)用和各種其他應(yīng)用的設(shè)備。

        SSF5N50D的特性:

        先進(jìn)的MOSFET工藝技術(shù)

        專為PWM、負(fù)載開關(guān)和

        通用應(yīng)用

        超低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷

        快速切換和反向體恢復(fù)

        150℃工作溫度

        SSF5N50D

        SSF5N50D絕對(duì)最大額定值(TC = 25°C,除非另有說明):

        ID@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,VGS@10V①:5A

        ID@TC=100°C,ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,VGS@10V①:3.1A

        IDM,PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流②:17A

        PD@TC=25°C,PowerDissipation功耗③:104W

        PD@TC=25°C,LinearDeratingFactor線性降額系數(shù):0.83W/°C

        VDS,Drain-SourceVoltage漏源電壓:500V

        VGS,Gate-to-SourceVoltage柵源電壓:±30V

        EAS,SinglePulseAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量@L=60mH:307mJ

        IAS,AvalancheCurrent雪崩電流@L=60mH:3.2A

        TJ,TSTG,OperatingJunctionandStorageTemperatureRange工作結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度范圍:-55to+150°C

        SSF5N50D

        壹芯微SSF5N50D規(guī)格書下還有熱特性,靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等,建議自行閱讀觀看。


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