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來源:壹芯微 發(fā)布日期
2021-09-30 瀏覽:-SSF5N50D場效應(yīng)管,SSF5N50D參數(shù)中文資料 - 壹芯微

型號(hào):SSF5N50D 極性:N溝道;電壓:500V 電流:5A;封裝:TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷
SSF5N50D參數(shù)中文資料,SSF5N50D封裝管腳引腳圖,SSF5N50D規(guī)格書:查看下載

SSF5N50D的概述:
SSF5N50D它利用最新的處理技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高細(xì)胞密度并減少高重復(fù)雪崩等級(jí)。 這些功能相結(jié)合,使這種設(shè)計(jì)非常用于電源開關(guān)應(yīng)用和各種其他應(yīng)用的設(shè)備。
SSF5N50D的特性:
先進(jìn)的MOSFET工藝技術(shù)
專為PWM、負(fù)載開關(guān)和
通用應(yīng)用
超低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷
快速切換和反向體恢復(fù)
150℃工作溫度

SSF5N50D的絕對(duì)最大額定值(TC = 25°C,除非另有說明):
ID@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,VGS@10V①:5A
ID@TC=100°C,ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,VGS@10V①:3.1A
IDM,PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流②:17A
PD@TC=25°C,PowerDissipation功耗③:104W
PD@TC=25°C,LinearDeratingFactor線性降額系數(shù):0.83W/°C
VDS,Drain-SourceVoltage漏源電壓:500V
VGS,Gate-to-SourceVoltage柵源電壓:±30V
EAS,SinglePulseAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量@L=60mH:307mJ
IAS,AvalancheCurrent雪崩電流@L=60mH:3.2A
TJ,TSTG,OperatingJunctionandStorageTemperatureRange工作結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度范圍:-55to+150°C

壹芯微SSF5N50D規(guī)格書下還有熱特性,靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等,建議自行閱讀觀看。
壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動(dòng)車、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用,幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質(zhì)量的國內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費(fèi)試樣外,更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們,免費(fèi)試樣熱線:13534146615(微信同號(hào)) QQ:2881579535 或請(qǐng)咨詢官網(wǎng)在線客服。

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