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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-07-09 瀏覽：-SI2301 SOT-23參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微
SI2301（P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管）
品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管|封裝：SOT-23|批號：21+|備注：全新國產(chǎn) 優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨 質(zhì)量放心 高性價(jià)比
| 參數(shù)\型號 | SI2301 | ||
| 極性 | P | ||
| ID(A) | -2.4 | ||
| VDSS(V) | -20 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.1 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | -4.5 | ||
| VGS(th):(V) | -0.4~-1 | ||
| Gfs(min):(S) | 4 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | -5 | ||
| Gfs(min):Io(A) | -2.4 | ||
| 封裝 | SOT-23 |
進(jìn)一步增加VGS，當(dāng)VGS＞VGS(th)時(shí)（ VGS(th) 稱為開啟電壓），由于此時(shí)的柵極電壓已經(jīng)比較強(qiáng)，在靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體表層中聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極溝通。如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。在柵極下方形成的導(dǎo)電溝道中的電子，因與P型半導(dǎo)體的載流子空穴極性相反，故稱為反型層（inversion layer）。隨著VGS的繼續(xù)增加，ID將不斷增加。在VGS=0V時(shí)ID=0，只有當(dāng)VGS＞VGS(th)后才會出現(xiàn)漏極電流，這種MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。
轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 gm 的量綱為mA/V，所以gm也稱為跨導(dǎo)。
跨導(dǎo)的定義式如下： gm=ID VGS(單位mS)VDS=const
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【本文標(biāo)簽】：SI2301 SI2301 SOT-23 SI2301 MOS管 SI2301場效應(yīng)管
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