SI2300 SOT-23參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

SI2300（N溝道增強型場效應(yīng)晶體管）

品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管|封裝：SOT-23|批號：21+|備注：全新國產(chǎn) 優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨 質(zhì)量放心 高性價比

增強型MOS(EMOS)場效應(yīng)管根據(jù)圖，N溝道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底，用符號B表示。

工作原理

溝道形成原理

當(dāng)VGS=0 V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓不會在D、S間形成電流。當(dāng)柵極加有電壓時，若0＜VGS＜VGS(th)時，通過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排斥，出現(xiàn)了一薄層負(fù)離子的耗盡層。耗盡層中的少子將向表層運動，但數(shù)量有限，不足以形成溝道，所以仍然不足以形成漏極電流ID。

壹芯微——優(yōu)質(zhì)國產(chǎn)功率半導(dǎo)體品牌，主要生產(chǎn)各式二極管、三極管、Mos管、晶體管、橋堆等電子器件 產(chǎn)品均通過歐盟各大管理體系認(rèn)證，高質(zhì)量，高標(biāo)準(zhǔn)，型號齊全，研發(fā)技術(shù)與芯片源自臺灣，完美替代進(jìn)口品牌，頁面右側(cè)可選擇銷售業(yè)務(wù)或工程師立即咨詢