NCEP60T15K TO252場效應晶體管參數規格書 選型替換 - 壹芯微

NCEP60T15K場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：60V；電流(ID)：150A；封裝(Pageke)：TO-252；

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Drain-Source Voltage 漏源電壓 VDS 60 V

Gate-Source Voltage 柵源電壓 VGS ±20 V

Drain Current-Continuous 漏極電流連續（硅限制） ID 150 A

Drain Current-Continuous 漏極電流-連續(TC=100℃) ID (100℃) 110 A

Pulsed Drain Current 脈沖漏極電流 IDM 600 A

Maximum Power Dissipation 最大功耗 PD 180 W

Derating factor 降額系數 1.2 W/℃

Single pulse avalanche energy 單脈沖雪崩能量（注 5） EAS 800 mJ

Operating Junction and Storage Temperature Range 工作結點和存儲溫度范圍 TJ,TSTG -55 至 175 ℃

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