CEU14G04參數中文資料廠家直營 - 場效應MOS管 - 壹芯微

CEU14G04場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：40V；電流(ID)：125A；封裝(Pageke)：TO-252；

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Drain-Source Voltage 漏源電壓 VDS 40V

Gate-Source Voltage 柵源電壓 VGS ±20V

Drain Current-Continuous 漏極電流連續 ID 125A

Drain Current-Pulsed ^a漏極電流脈沖 IDM 500A

Maximum Power Dissipation 最大功耗 @ TC = 25°C PD 83W

Maximum Power Dissipation 最大功耗 - 25°C 以上降額 PD 0.55W/°C

Operating and Store Temperature Range 操作和儲存溫度范圍 TJ,Tstg -55 至 175°C

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