NVD5862N(MOS場效應管) NVD5862N主要參數中文資料 - 壹芯微

NVD5862N場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：60V；電流(ID)：98A；封裝(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品質，原廠批量直銷，提供技術支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號

• 60V 5.7mΩ @ 98A

• 低 RDS(on)以最大限度地減少傳導損耗

• 高電流能力

• 指定雪崩能量

• AEC-Q101認證和PPAP能力

• 這些器件無鉛、無鹵素/無BFR且符合RoHS

合規

Drain−to−Source Voltage 漏源電壓 VDSS：60V

Gate−to−Source Voltage 柵源電壓 VGSL：20V

Continuous Drain Current 連續漏極電流 RθJC(注 1)穩定的狀態TC=25°C ID：98A

Continuous Drain Current 連續漏極電流 RθJC(注 1)穩定的狀態TC=100°C ID：69A

Power Dissipation 功耗 RθJC(注 1)穩定的狀態TC=25°C PD：115W

Power Dissipation 功耗 RθJC(注 1)穩定的狀態TC=25°C PD：58W

Continuous Drain Current 連續漏極電流 RθJA(注 1和2)穩定的狀態TC=25°C ID：18A

Continuous Drain Current 連續漏極電流 RθJA(注 1和2)穩定的狀態TC=100°C ID：13A

Power Dissipation 功耗 RθJA(注 1和2)穩定的狀態TC=25°C PD：4.1W

Power Dissipation 功耗 RθJA(注 1和2)穩定的狀態TC=100°C PD：2.0W

Pulsed Drain Current 脈沖漏極電流 TA=25°C, tp=10μs IDM：367A

Current Limited by Package 電流受封裝限制 TA=25°C IDmaxpkg：60A

Operating Junction and Storage Temperature 工作結點和存儲溫度 TJ, Tstg：−55 to 175°C

Source Current (Body Diode) 源電流(體二極管) IS：96A

Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy 單脈沖漏源雪崩能量 EAS：205mJ

Lead Temperature for Soldering Purposes 用于焊接目的的引線溫度 TL：260°C

超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞

設備。如果超過這些限制中的任何一個，設備功能不應

假設，可能會發生損壞并影響可靠性。

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產與銷售，至今已有20年半導體行業研發、制造經驗。目前壹芯微產品已經在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網在線客服。