IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N溝道 足參數(shù)

IRLR3110Z(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管)；IRLR3110Z場效應(yīng)管參數(shù)；IRLR3110Z場效應(yīng)管封裝引腳圖；IRLR3110Z場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF)；  

電流(ID)：63A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252  

產(chǎn)品概要

導(dǎo)通電阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)

輸入電容Ciss=17000pF(typ)

4.5V驅(qū)動

無鹵合規(guī)

絕對最大額定參數(shù)（TC=25C，除非另有說明）

Drain-to-Source Voltage 漏源電壓 VDSS：60V

Gate-to-Source Voltage 柵源電壓 VGSS：±20V

Drain Current(DC) 漏極電流(DC) ID：100A

Drain Current(Pulse) 漏極電流(脈沖)IDP PW≤10μs, duty cycle≤1%：400A

Allowable Power Dissipation 允許功耗 PD Tc=25°C：90W

Channel Temperature 通道溫度 Tch：150°C

Storage Temperature 儲存溫度 Tstg：-55 to +150°C

Avalanche Energy 雪崩能量(單脈沖)*1 EAS：549mJ

Avalanche Current 雪崩電流*2 IAV：70A

超過最大額定值的應(yīng)力可能會損壞設(shè)備。最大額定值僅是壓力額定值。推薦操作以上的功能操作

條件不是隱含的。長期暴露于高于推薦工作條件的應(yīng)力可能會影響器件的可靠性。

壹芯微科技（Yixin）國內(nèi)知名功率半導(dǎo)體制造商。主要生產(chǎn)各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復(fù)、低壓降、場效應(yīng)管(MOSFET)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、IC集成電路、橋堆。引進(jìn)大量先進(jìn)的晶體管選型封裝測試全自動化設(shè)備、配備高標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試實(shí)驗室等，對每一批產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)控把關(guān)；壹芯微首席工程師曾多年服務(wù)于臺灣強(qiáng)茂，有著豐富的研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，為各行業(yè)應(yīng)用提供完美的解決方案與技術(shù)支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服或聯(lián)系以下

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