UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N溝道

UTT60N10G-TN3-R(N溝道增強型場效應晶體管)；UTT60N10G-TN3-R場效應管參數；UTT60N10G-TN3-R場效應管封裝引腳圖；UTT60N10G-TN3-R場效應管中文資料規格書(PDF)；  

電流(ID)：60A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252 

產品概要

* RDS(ON)<24mΩ @ VGS=10V, ID=30A

* 高切換速度

* 高電流容量

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）

Drain-Source Voltage 漏源電壓 VDSS 100V

Gate-Source Voltage 柵源電壓 VGSS ±20V

Drain Current  Continuous 漏極電流連續 ID 60A

Drain Current Pulsed 漏極電流脈沖 EAS 270mJ

Power Dissipation TO-220 功耗 TO-220 PD 100W

Power Dissipation TO-220F1 功耗 TO-220F1 PD 70W

Power Dissipation TO-252 PD 功耗 TO-252 PD 114W

Power Dissipation TO-3P 功耗 TO-3P PD 118W

Junction Temperature 儲存溫度 TSTG -55~150°C

Storage Temperature 儲存溫度 TSTG -55~150°C

注意：絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下

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