IRLR3636 TO-252 MOS管60V 99A N溝道 足參數

IRLR3636(N溝道增強型場效應晶體管)；IRLR3636場效應管參數；IRLR3636場效應管封裝引腳圖；IRLR3636場效應管中文資料規格書(PDF)；  

電流(ID)：99A，電壓(VDSS)：60V，封裝形式：TO252 

產品概要

VDSS 60V

RDS(on) 典型值。 5.4m

最大限度。 6.8

ID (Silicon Limited) 99A

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）

ID@TC=25°C 持續漏極電流，VGS@10V(Silicon Limited)：99①A

ID@TC=100°C 持續漏極電流，VGS@10V(Silicon Limited)：70①A

IDM 脈沖漏極電流②：396W

PD @TC=25°C 最大功耗：143W

線性降額系數：0.95W

VGS 柵源電壓：±16V

dv/dt 二極管峰值恢復④：22V/ns

TJ 工作結點和 STG 存儲溫度范圍：-55 至 +175°C

焊接溫度，10秒：300(1.6mm drom case)°C

壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下

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