UTT60N10MG-TN3-R替代DH012TG場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微

UTT60N10MG-TN3-R(N溝道增強型場效應晶體管)；UTT60N10MG-TN3-R場效應管參數；UTT60N10MG-TN3-R場效應管封裝引腳圖；UTT60N10MG-TN3-R場效應管中文資料規格書(PDF)；

電流(ID)：60A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252

產品概要

* RDS(ON)≤18mΩ @VGS=10V, ID=20A

   RDS(ON)≤25mΩ @ VGS=4.5V，ID=15A

* 綠色設備可用

* 低柵極電荷

* 表面貼裝封裝

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）

漏源電壓VDSS：100V

柵源電壓VGSS：±20V

漏極電流連續TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252 ID：60A

漏極電流連續SOP-8 ID：30A

漏極電流連續DFN5060-8 ID：40A

脈沖漏極電流（注 2）TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252 IDM：100A

脈沖漏極電流（注 2）SOP-8 IDM：50A

漏極電流脈沖（注 2）DFN5060-8 IDM：67A

雪崩電流IAS：20A

雪崩能量（注3）EAS：200mJ

功耗TO-220 PD：125W

功耗TO-220F PD：30W

功耗TO-247 PD：312W

功耗TO-251/TO-252 PD：50W

功耗SOP-8 PD：6W

功耗DFN5060-8 PD：14W

結溫TJ：-40~+150 °C

儲存溫度范圍TSTG：-55~+150 °C

注意： 

1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

    絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2. 重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。

3. L=1mH, IAS=20A, VDD=25V, RG=25Ω, 啟動TJ=25°C

壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下

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