來源：壹芯微 發布日期
2021-09-09 瀏覽：-HY1910D場效應管參數中文資料PDF(選型替代DH010TG) - 壹芯微
HY1910D(N溝道增強型場效應晶體管)；HY1910D場效應管參數；HY1910D場效應管封裝引腳圖；HY3010D場效應管中文資料規格書(PDF)；
電流(ID)：67A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252
產品概要
100V/67A
RDS(ON)=10mΩ(典型值)@VGS=10V
RDS(ON)=12mΩ(典型值)@VGS=4.5V
100% 雪崩測試
可靠且堅固
提供無鹵和綠色設備
(符合 RoHS)
絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）
漏源電壓 VDSS：100V
柵源電壓 VGSS：±20V
最高結溫TJ：175°C
儲存溫度范圍 TSTG：-55to175°C
源電流-連續（體二極管）Tc=25°C IS：67A
壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下
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