6NM65L-TN3-G場效應管,6NM65L-TN3-G參數中文資料 - 壹芯微

型號：6NM65L-TN3-G 極性：N溝道；電壓：600V 電流：6A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

6NM65L-TN3-G參數中文資料,6NM65L-TN3-G封裝管腳引腳圖,6NM65L-TN3-G規格書:查看下載

6NM65L-TN3-G的概述：

6NM65L-TN3-G是一款超級結型MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于高速開關應用，包括電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉換器和橋式電路。

6NM65L-TN3-G的特性：

RDS(ON)<1.4Ω@VGS=10V，ID=3.0A

快速切換能力

指定雪崩能量

改進的dv/dt能力，高耐用性

6NM65L-TN3-G的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：650V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流連續,ID：6.0A

DrainCurrentPulsed漏極電流脈沖(注2),IDM：24A

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：1.4A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),EAS：141mJ

PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD：40W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251S/TO-252,PD：55W

JunctionTemperature結溫,TJ：+150°С

StorageTemperature儲存溫度,TSTG：-55~+150°С

注意：1.絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2.重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。

3.L=144mH，IAS=1.4A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4.ISD≤6.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微6NM65L-TN3-G規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產與銷售，至今已有20年半導體行業研發、制造經驗。目前壹芯微產品已經在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網在線客服。