7N70KL-TN3-R場效應管參數中文資料 現貨替代 廠家直營 - 壹芯微

型號：7N70KL-TN3-R 極性：N溝道；電壓：700V電流：7A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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7N70KL-TN3-R的概述：

7N70K-MTQ是一種高壓功率 MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉換器和橋式電路中的高速開關應用。

* RDS(ON)<1.7Ω @VGS=10V，ID=3.5A

7N70KL-TN3-R的特性：

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進的 dv/dt 能力，高耐用性

7N70KL-TN3-R的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：700V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流持續,ID：7.0A

DrainCurrentPulsedDrain Current Pulsed (注2),IDM：28A

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：6.4A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),EAS：205mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(注 4),dv/dt：4.5 V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F2,PD：48W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4/TO-252,PD：57W

PowerDissipation功耗,TO-262 PD：142W

JunctionTemperature結溫,TJ：+150°C

注意： 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2. 重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。

3.L=10mH，IAS=6.4A，VDD=50V，RG=25Ω，啟動TJ=25°C

4.ISD≤7.0A，di/dt≤200A/µs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微7N70KL-TN3-R規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

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