2NM70G-TN3-R場效應管參數中文資料 現貨替代 廠家直營 - 壹芯微

型號：2NM70G-TN3-R 極性：N溝道；電壓：700V電流：2A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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2NM70G-TN3-R的概述：

2NM70是一種超級結MOSFET結構，旨在具有更好的特性，例如快速切換時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉換器和橋式電路中的高速開關應用。

2NM70G-TN3-R的特性：

RDS(ON)<3.0Ω@VGS=10V，ID=1.0A

快速切換能力

指定雪崩能量

改進的dv/dt能力，高耐用性

2NM70G-TN3-R的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：700V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V

Drain CurrentContinuous漏極電流連續,ID：2.0A

DrainCurrentPulsed脈沖漏極電流(注2),IDM：8.0A

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：1A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),EAS：69mJ

PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(注4),dv/dt：3V/ns

PowerDissipation功耗,SOT-223,PD：10W

PowerDissipation功耗,TO-220,PD：45W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD：28W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,PD：40W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD：30W

JunctionTemperature結溫,TJ：+150°С

StorageTemperature儲存溫度,TSTG：-55~+150°С

注意：1.絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2.重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。

3.L=138mH,IAS=1.0A,VDD=50V,RG=25Ω,起始TJ=25°C

4.ISD≤2.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微2NM70G-TN3-R規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

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