4N65ZG-TN3-R TO252 N溝道 高壓650V 4A - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

4N65ZG-TN3-R是一款高壓功率MOSFET具有更好的特性，例如快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、低柵極充電、低通態(tài)電阻和高堅(jiān)固性雪崩特征。 這種功率MOSFET通常用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，包括電源、PWM電機(jī)控制、高效直流到直流轉(zhuǎn)換器和橋接電路。

The 4N65ZG-TN3-R is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications including power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits. 

4N65ZG-TN3-R的特性：

高額定電流  High Current Rating

降低RDS(on)  Lower RDS(on)

低電容  Lower Capacitance

降低總柵極電荷  Lower Total Gate Charge

更嚴(yán)格的VSD規(guī)格  Tighter VSD Specifications

雪崩能量指定  Avalanche Energy Specified

4N65ZG-TN3-R的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說(shuō)明）：

4N65ZG-TN3-R的電氣特性（TC =25°С，除非另有說(shuō)明）：

注意事項(xiàng)：1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25Ω,啟動(dòng)TJ=25℃。2. 脈沖測(cè)試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%。3.這些參數(shù)沒(méi)有辦法驗(yàn)證。

Notes :1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25?,Starting TJ=25℃. 2. Pulse Test : Pulse width≤300µs, duty cycle ≤2%. 3. These parameters have no way to verify.

4N65ZG-TN3-R的引腳說(shuō)明：

壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動(dòng)車、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，幫助合作伙伴解決符合國(guó)情、符合國(guó)際質(zhì)量的國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費(fèi)試樣熱線：13534146615(微信同號(hào)) QQ：2881579535 或請(qǐng)咨詢官網(wǎng)在線客服。