DMJ7N70SK3場效應管參數,DMJ7N70SK3參數中文資料

DMJ7N70SK3 - Power MOSFET(功率MOS場效應管)

7A,700V N溝道增強型場效應管

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DMJ7N70SK3規格書(PDF):查看下載

DMJ7N70SK3的概述：

這種新一代MOSFET旨在最大限度地降低導通電阻(RDS(ON))并保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

DMJ7N70SK3的特性：

生產中的 100% 未鉗位電感開關 (UIS) 測試 ? 低柵極輸入電阻

低輸入電容

無鉛表面處理；符合RoHS（注1和2）

不含鹵素和銻。“綠色”裝置（注3）

DMJ7N70SK3的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：700V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

ContinuousDrainCurrent持續漏極電流(注5),V_GS=10V

TC=+25°CTC=+25°C,I_D：3.9A

TC=+100°CTC=+100°C,I_D：2.5A

MaximumBodyDiodeForwardCurrent最大體二極管正向電流(注5),I_S：3.0A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流(10µs脈沖,占空比=1%),I_DM：8.0A

AvalancheCurrent雪崩電流(注6),I_AR：1.5A

AvalancheEnergy雪崩能量(注6),E_AR：67mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復,dv/dt：11.8V/ns

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