PD最大耗散功率:104WID最大漏源電流:4V(BR)DSS漏源擊穿電壓:600VRDS(ON)Ω內阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通態電流:2.2AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 開關電源(SMPS):FQP4N60C由于其高效率和低損耗,被廣泛應用于開關電源中。它能夠在高頻開關狀態下穩定工作,提供高效的能量轉換。
2. 電機驅動:在電機控制系統中,FQP4N60C作為開關元件,能夠實現對電機轉速和方向的精確控制,具有高效能和耐用性的特點。
3. 逆變器:在光伏逆變器和不間斷電源(UPS)中,FQP4N60C被用作逆變電路的開關元件,能夠高效地將直流電轉換為交流電,保證系統的穩定運行。
4. LED照明:FQP4N60C在LED驅動電路中起到了關鍵作用,能夠有效地控制LED的亮度和功耗,實現高效的能量利用。
5. 電動汽車:在電動汽車的電池管理系統和驅動系統中,FQP4N60C由于其高壓、大電流的特性,能夠有效地提高系統的能量轉換效率和運行穩定性。
二、參數特點:
1. 耐壓高:FQP4N60C的漏源極耐壓(Vds)高達600V,能夠在高壓環境下穩定工作,適用于工業和電力電子等高壓應用。
2. 導通電阻低:FQP4N60C的典型導通電阻(Rds(on))為1.9Ω,較低的導通電阻能夠減少導通損耗,提高電路的效率。
3. 高脈沖電流能力:FQP4N60C具備較高的脈沖電流能力,最大脈沖漏極電流(Id)可達24A,適用于需要高峰值電流的應用場合。
4. 快速開關速度:FQP4N60C具有快速的開關速度,能夠在高頻工作狀態下有效降低開關損耗,提高系統的效率。
5. 低柵極電荷:FQP4N60C的總柵極電荷(Qg)為53nC,低柵極電荷特性使其在驅動時所需的能量較低,能夠實現高效的驅動控制。
通過以上描述可以看出,FQP4N60C作為一種高性能的N溝道功率MOSFET,其在電力電子、工業控制、照明等領域中具有廣泛的應用前景,憑借其優異的參數特點,為各種應用提供了可靠的技術保障。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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