CJD01N80場(chǎng)效應(yīng)管,CJD01N80參數(shù)中文資料 - 壹芯微

型號(hào)：CJD01N80 極性：N溝道；電壓：800V 電流：1A；封裝：TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

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CJD01N80的概述：

CJD01N80是N溝道模式功率 MOSFET，使用為客戶提供平面條紋的先進(jìn)技術(shù)。 這個(gè)技術(shù)專門(mén)允許最小的通態(tài)電阻和優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。 它還可以承受高能量脈沖在雪崩和換向模式。 CJD01N80是通用的應(yīng)用于高效開(kāi)關(guān)電源。

CJD01N80的特性：

優(yōu)秀的包裝

高切換速度

100%雪崩測(cè)試

CJD01N80的應(yīng)用：

電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用

DC/DC 轉(zhuǎn)換器

CJD01N80的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說(shuō)明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDS：800 V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGS：±30 V

ContinuousDrainCurrent連續(xù)漏極電流,ID：1 A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流,IDM：4 A

SinglePulsedAvalancheEnerg單脈沖雪崩能量(注1),EAS：90 mJ

ThermalResistanceFromJunctionToAmbient從結(jié)到環(huán)境的熱阻,RθJA：100 ℃/W

JunctionTemperature結(jié)溫,TJ：150 °C

StorageTemperatureRange儲(chǔ)存溫度范圍,TSTG：-55~+150°C

MaximumLeadTemperatureForSolderingPurposes用于焊接目的的最高引線溫度，

1/8"FromCaseFor5Seconds距離外殼1/8"5秒,TL：260°C

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壹芯微CJD01N80規(guī)格書(shū)下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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