2N70KL-TN3-R場效應管參數中文資料 現貨替代 廠家直營 - 壹芯微

型號：2N70KL-TN3-R 極性：N溝道；電壓：700V 電流：2A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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2N70KL-TN3-R的概述：

2N70K是一種高壓MOSFET，旨在其他特性，例如快速切換時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于高速開關應用在電源、PWM電機控制、高效率直流到直流轉換器和橋式電路。

2N70KL-TN3-R的特性：

* RDS(ON)<7.5Ω@VGS=10V

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進的dv/dt能力，高耐用性

2N70KL-TN3-R的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：700 V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30 V

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：2.0 A

Drain CurrentContinuous漏極電流持續,ID：2.0 A

Drain CurrentPulsed漏極電流脈沖(注2),IDM：8.0 A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3), EAS：20 mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(注2), EAR：2.8 mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(注4),dv/dt：4.5 V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F2 PD：40 W

PowerDissipation功耗,TO-252 PD：30 W

JunctionTemperature結溫,TJ：+150 °С

OperatingTemperature工作溫度,TOPR：-55~+150 °С

StorageTemperature儲存溫度,TSTG：-55~+150 °С

壹芯微2N70KL-TN3-R規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

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