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        3N80ZL-TN3-R場效應管參數規格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-09-24 瀏覽:-

        3N80ZL-TN3-R場效應管參數規格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微

        3N80ZL-TN3-R

        型號:3N80ZL-TN3-R 極性:N溝道;電壓:800V 電流:3A;封裝:TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

        3N80ZL-TN3-R參數中文資料,3N80ZL-TN3-R封裝管腳引腳圖,3N80ZL-TN3-R規格書:查看下載

        3N80ZL-TN3-R

        3N80ZL-TN3-R的概述:

        3N80Z 提供出色的 RDS(ON)、低柵極電荷和

        以低柵極電壓運行。 該設備適用于

        用作負載開關或在 PWM 應用中。

        3N80ZL-TN3-R的特性:

        * RDS(ON)<4.2Ω @ VGS=10V, ID=1.5A

        * 快速切換能力

        * 指定雪崩能量

        * 改進的dv/dt能力,高耐用性

        3N80ZL-TN3-R

        3N80ZL-TN3-R絕對最大額定值(TC = 25°C,除非另有說明):

        3N80ZL-TN3-R

        Drain-SourceVoltage漏源電壓(VGS=0V),VDSS:800 V

        Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS:±20 V

        MinimumGate-SourceBreakdownVoltage

        最小柵源擊穿電壓(IGS=±1mA),BVGSO:30 V

        ContinuousDrainCurrent持續漏極電流,ID:3.0 A

        PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流,IDM:12 A

        AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR:4.0 A

        SinglePulseAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量(注3),EAS:150 mJ

        PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(注4),dv/dt:3.1 V/ns

        PowerDissipation功耗,TO-220F1 PD:25 W

        PowerDissipation功耗,TO-252 PD:50 W

        JunctionTemperature結溫,TJ:+150 °C

        StorageTemperature儲存溫度,TSTG:-55~+150 °C

        注意: 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。絕對最大額定值僅是應力額定值,并不暗示功能設備操作。2. 重復額定值:脈沖寬度受最大結溫限制。3. L=35mH,IAS=3.0A,VDD=50V,RG=25Ω,起始TJ=25°C。

        3N80ZL-TN3-R

        壹芯微3N80ZL-TN3-R規格書下還有熱特性,靜態特性與電氣參數等,建議自行閱讀觀看。

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