1N70G-TN3-R場(chǎng)效應(yīng)管,1N70G-TN3-R參數(shù)中文資料 - 壹芯微

型號(hào)：1N70G-TN3-R 極性：N溝道；電壓：700V 電流：1A；封裝：TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

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1N70G-TN3-R的概述：

1N70是一種高壓MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速的開關(guān)時(shí)間，低柵極充電、低通態(tài)電阻和高堅(jiān)固性雪崩特征。 這種功率MOSFET通常用于高速電源中的開關(guān)應(yīng)用、PWM 電機(jī)控制、高高效的直流到直流轉(zhuǎn)換器和橋式電路。

1N70G-TN3-R的特性：

* RDS(ON)<13.5Ω @VGS=10V，ID=0.6A

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性

1N70G-TN3-R的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：700 V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30 V

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：1.2 A

ContinuousDrainCurrent連續(xù)漏極電流,ID：1.2 A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流(注2),IDM：4.8 A

AvalancheEnergy雪崩能量(注2),單脈沖 EAS：50 mJ

AvalancheEnergy雪崩能量(注2),重復(fù) EAR：4.0 mJ

PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(fù)(注3),dv/dt：4.5 V/ns

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251L/TO-252 PD：28 W

PowerDissipation功耗,TO-92 PD：1.6 W

JunctionTemperature結(jié)溫,TJ：+150 °C

注意： 1. 絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2. 重復(fù)評(píng)級(jí)：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制

3. L=60mH，IAS=1A，VDD=50V，RG=25Ω，啟動(dòng)TJ=25°C

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