4N65G-TN3-T場效應MOS管參數 報價 原廠直銷 免費樣品 - 壹芯微

型號：4N65G-TN3-T 極性：N溝道；電壓：650V 電流：4A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

4N65G-TN3-T參數中文資料,4N65G-TN3-T封裝管腳引腳圖

4N65G-TN3-T的概述：

4N65-E是一款高壓功率MOSFET，其設計具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 這種功率MOSFET通常用于高速開關應用，包括電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉換器和橋式電路。

4N65G-TN3-T的特性：

RDS(ON)<2.5Ω @VGS=10V

快速切換能力

指定雪崩能量

改進的dv/dt能力，高耐用性

4N65G-TN3-T的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-Source Voltage 漏源電壓 VDSS：650 V

Gate-Source Voltage 柵源電壓 VGSS：±30 V

Avalanche Current 雪崩電流（注 2） IAR：4.4 A

Drain Current Continuous 漏極電流連續 ID：4.0 A

Drain Current Pulsed 漏極電流脈沖（注 2）IDM：16 A

Avalanche Energy  Single Pulsed 雪崩能量單脈沖（注3）EAS：200 mJ

Avalanche Energy Repetitive 雪崩能量重復 (注 2) EAR：10.6 mJ

Peak Diode Recovery 峰值二極管恢復 (注 4) dv/dt：4.5 V/ns

Power Dissipation 功耗 TO-220/TO-262/TO-263 PD：106 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F/TO-220F1/TO-220F3 PD：36 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F2 PD：38 W

Power Dissipation 功耗 TO-251/TO-252/TO-251S PD：50 W

Power Dissipation 功耗 DFN-8(3×3) PD：30 W

Junction Temperature 結溫 TJ：+150 °С

Operating Temperature 工作溫度 TOPR：-55 ~ +150 °С

Storage Temperature 儲存溫度 TSTG：-55 ~ +150 °С

注意： 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2. 重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。

3. L=30mH, IAS=3.65A, VDD=50V, RG=25?, Starting(起始)TJ=25°C 

4. ISD≤4.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting(起始)T =25°C 

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