3N65KG-TN3-R場效應管參數規格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微

型號：3N65KG-TN3-R 極性：N溝道；電壓：650V 電流：3A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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3N65KG-TN3-R的概述：

3N65KG-TN3-R是一款高電壓和大電流功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉換器和橋式電路的高速開關應用。

3N65KL-TN3-R的特性：

RDS(ON)=3.8Ω @VGS=10V

超低柵極電荷（典型值 10nC）

低反向傳輸電容（CRSS=典型值 5.5pF）

快速切換能力

指定雪崩能量

改進的dv/dt能力，高耐用性

3N65KG-TN3-R的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-Source Voltage 漏源電壓 VDSS：650 V

Gate-Source Voltage 柵源電壓 VGSS：±30 V

Avalanche Current 雪崩電流（注 2） IAR：3.0 A

Continuous Drain Current 連續漏極電流 ID：3.0 A

Pulsed Drain Current 脈沖漏極電流（注 2）IDM：12 A

Power Dissipation 功耗 TO-220 PD：75 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F/TO-220F1 PD：34 W

Power Dissipation 功耗 TO-251/TO-252 PD：50 W

Junction Temperature 結溫 TJ：+150 °C

Operating Temperature 工作溫度 TOPR：-55 ~ +150 °C

Storage Temperature 儲存溫度 TSTG：-55 ~ +150 °C

注意： 2. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

  3. 重復評級：脈沖寬度受最大結溫限制

  3. L=64mH，IAS=3.0A，VDD=50V，RG=25 Ω，起始 TJ=26°C

  4. ISD≤3.0A，di/dt ≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始 TJ=26°C

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