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碳化硅MOSFET優勢解析-具體有哪些優勢詳解碳化硅MOSFET有哪些優勢?(一)開關損耗碳化硅MOSFET有哪些優勢,下圖1是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM ...
MOS管擊穿-你了解幾種-MOS管擊穿解析MOS管擊穿有哪些?場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G。先講測試條件,都是源柵襯底都是接地,然后掃描漏極電壓,直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看,它的漏電通道...
為什么MOS管飽和區溝道夾斷了還有電流以及飽和區電流公式詳解隨著漏源電壓不斷增大,當達到夾斷電壓時,溝道厚度在漏極處減薄為零,溝道在漏極處消失,該處只剩下耗盡層,這是所謂的夾斷;漏源電壓繼續增大,溝道的夾斷點向源極方向運...
一種智能的碳化硅MOSFET驅動核和驅動要求與特性詳解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的開發與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工...
搞懂MOS管半導體結構與如何制造詳解MOS管作為半導體領域最基礎的器件之一,無論是在IC 設計里,還是板級電路應用上,都十分廣泛。MOS管一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(s...
MOS管半導體-MOS管選型和測量方法MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管,屬于場效應管中的...
MOS管電壓型靜電擊穿解析-MOS管原廠專業制造今天主要講MOS管電壓型靜電擊穿特點。其實MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強...
逆變器原理電路分析12V直流變成220V交流電逆變器逆變器原理電路解析,將12V直流變成220V交流電。逆變器是把直流電能(電池、蓄電瓶)轉變成定頻定壓或調頻調壓交流電(一般為220V,50Hz正弦波)的轉換器。它由逆變...
十大最常用電子元器件有哪些和元器件知識解析十大最常用電子元器件有哪些及元器件知識解析 ,對于從事電子行業的工程師來說,電子元器件就像人們日常進口的米飯一樣,是每天都需要去接觸,每天都需要用到的,但其實里面的門門道道很多工...
電子元器件-電子元器件損壞的原因解析電子元器件損壞的原因你知道多少?一切電子裝置如洗衣機、冰箱、空調、計算機、儀器、儀表、汽車電子等都是形形色色的,不同功能的電子電路組成。根據張飛第三大定律組成電子電路的基本單位是電子元...
什么是場效應管(FET)-場效應管(FET)分類-原理-用途等知識詳解場效應管和雙極晶體管不同,僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結構、原理可以分為:1、接合型場效應管 2、MOS型場效應管(一)場效應管(FE...
場效應管知識詳解-細說場效應管類型和其他知識場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管),本文主要講場效應管分類,各種場效應管的工作特點及根據特性曲線能判斷管子的類型。場效應管的特點了解場效應管分類之...
場效應管知識-場效應管主要參數-作用與特點詳解場效應管簡介場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JF...
MOS管源極與漏極是否可以互換使用分析MOS管源極和漏極是否能互換使用?結型場效應管的源極S和漏極在制造工藝上是對稱的,可以互換使用。如把3DJ6應用于功效前置級,D、S極互換后,電路工作狀態并無變化。MOS管的襯底B與...
MOS管-三極管-IGBT之間的因果關系-區別和聯系最全解析MOS管、三極管、IGBT之間的因果關系 區別與聯系最全解析大家都知道MOS管、三極管、IGBT的標準定義,但是很少有人詳細地、系統地從這句話抽絲剝繭,一層一層...
二極管-晶閘管- IGBT三者之間的區別和聯系二極管就是利用單向導通性。晶閘管是兩個三極管,也是單向導通性。igbt是一個mosfet加一個三極管。三者都是半導體器件,都利用pn節單向導通。二極管是這三樣的基礎。是半導體...
基于高速IGBT的100kHz高壓-低壓DC/DC轉換器知識本文分析了一種基于高速IGBT的軟開關移相全橋帶同步整流的DC/DC轉換器。移相全橋拓撲的軟開關技術是混合動力汽車和電動汽車高壓-低壓DC/DC轉換器的主流關鍵...
IGBT單管與MOS管的區別-MOSFET是MOS嗎IGBT在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結,即NPNP結構,在原理上是MOS推動的P型BJT;多的這個P層因內有載流子,有電導調制作用,可以使IGBT在跟高電壓...
IGBT怎么防止靜電擊穿IGBT在關斷時,由于逆變電路中存在電感成分,關斷產生瞬間尖峰電壓,如果尖峰電壓超過IGBT的最高峰值電壓,將造成IGBT擊穿損壞,過壓損壞可分為集電極-柵極過壓,柵極-發射極過電壓,高du/dt...
怎么分析電動車低速過載工況下的IGBT動態溫升電動汽車電機在低轉速大電流過載輸出時,驅動器IGBT模塊結溫會迅速攀升并很容易超出安全工作區從而導致失效。如果在系統設計階段,利用散熱回路的瞬態熱阻特性,并通過仿真計算精確控...
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