來源：壹芯微 發布日期
2020-08-25 瀏覽：-IGBT單管與MOS管的區別-MOSFET是MOS嗎
IGBT在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，在原理上是MOS推動的P型BJT；
多的這個P層因內有載流子，有電導調制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流子存在，IGBT關斷是電流會拖尾，關斷速度會減低；
MOS管就是MOSFET的簡稱了；
IGBT和MOS管是全控器件，是電壓型驅動，即通過控制柵極電壓來開通或關斷器件；可控硅是半控器件，電流型驅動，即給柵極通一定的電流，可以是可控硅開通，但是一旦開通，就不受柵極控制，將柵極的電壓電流信號去除，仍然保持開通，只用流過可控硅的電流減小，或可控硅AK兩端加反壓，才能關斷；
IGBT和MOS管頻率可以做到幾十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以內。
IGBT單管和MOS管的區別：
1、從結構來說，以N型溝道為例，IGBT與MOSFET（VDMOS）的差別在于MOSFET的襯底為N型，IGBT的襯底為P型。
2、從原理上說IGBT相當與一個mosfet和一個BIpolar的組合，通過背面P型層的空穴注入降低器件的導通電阻，但同時也會引入一些拖尾電流等問題。
3、從產品來說，IGBT一般用在高壓功率產品上，從600V到幾千伏都有；MOSFET應用電壓相對較低從十幾伏到1000左右。
MOS管就是MOSFET的簡稱
壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試，應用各大領域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話：13534146615
企業QQ：2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號：粵ICP備2020121154號
