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        [常見問題解答]深入探索VDMOS：結構、性能與實際應用[
                                        2024-10-16 12:28
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                                    垂直雙擴散金屬氧化物半導體（VDMOS）是一種常見的功率半導體器件，廣泛用于電子設備中的功率轉換和開關控制。VDMOS憑借其獨特的結構設計和優異的性能，已成為電力電子領域的領先技術。VDMOS器件的正式名稱是Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，它采用垂直結構來實現電流流動。與水平結構的MOSFET相比，VDMOS采用垂直電流路徑，這使其能夠更好地處理更高功率并有效降低器件的導通電阻。一、VDMOS的基本結構VDMOS的基本結構包括源極、漏極、柵極和漂
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/srtsvdmosj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]從零開始了解Vdmos器件：設計理念與技術創新[
                                        2024-09-29 16:58
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                                    隨著電子設備的不斷發展，半導體器件在各種應用領域中的作用愈發重要。VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor，垂直雙擴散金屬氧化物半導體）作為一種具有垂直結構的功率MOSFET，憑借其獨特的設計理念與卓越的技術性能，成為現代電子電路中不可或缺的重要元件。那么，VDMOS器件究竟有何獨特之處？其設計理念和技術創新又體現在哪些方面呢？本文將帶你從零開始，深入了解VDMOS器件的技術細節與創新優勢。1. 什么是VDMOS器件？VDMOS是一種基于MOS
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/clksljvdmo_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]VDMOS與MOS的核心區別及應用場景解析[
                                        2024-09-29 16:38
                                        ]
        
                                
        
                                    在半導體器件的世界中，VDMOS（垂直雙擴散金屬氧化物半導體）和MOS（金屬氧化物半導體）兩種器件由于其結構和性能的不同，在各自的應用領域中各顯神通。本文將詳細解析VDMOS與MOS的核心區別，幫助讀者更好地理解它們在不同應用場景中的優勢與局限。一、VDMOS與MOS的結構差異VDMOS是一種垂直結構的功率MOSFET器件，它的設計特點在于源極位于硅片的頂部，而漏極則在硅片的底部。柵極通過一層氧化物層與其他部分隔離開來。通過這種垂直擴散的方式，VDMOS能夠實現低導通電阻和高耐壓能力，這使得它在高電壓和大電流的場合
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/vdmosymosd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]快恢復二極管的設計改進及其在高頻電路中的應用[
                                        2024-04-13 14:35
                                        ]
        
                                
        
                                    探索快速恢復二極管的動態恢復性能優化隨著電力電子技術的快速發展，如變頻器、PWM脈寬調制器、斬波器及其他電力電子設備的普及不斷提升。在這些設備的核心電路中，常常使用晶閘管、VDMOS、IGBT、GTO等現代電子元件，而與這些元件并聯的快恢復二極管（FRD）則發揮著至關重要的角色。這些二極管不僅減少電容的充放電周期，還提供必要的無功電流通道，有效地抑制因負載電流突變引起的高壓感應。二極管的反向恢復過程二極管在傳導正向電流期間，其PN結存儲了大量的少數載流子。這些載流子的存在雖可降低二極管的通態電壓（VF），但當施加反
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/khfejgdsjg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT的關斷過程影響解析[
                                        2023-06-17 15:24
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                                    IGBT的關斷過程影響解析從電壓電流對IGBT的關斷過程進行分析01前言絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET) 的復合器件,IGBT將BJT的電導調制效應引入到VDMOS 的高阻漂移區, 大大改善了器件的導通特性, 同時還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關速度快的特點。很多情況，由于對IGBT關斷機理認識不清, 對關斷時間隨電壓和電流的變化規律認識不清, 導致無法解釋在使用過程中出現的電流拖尾長、死區時間長等現象, 不能充分發揮IGBT 的性能; 導致IGBT因使
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/igbtdgdgcy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]SVF3N50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-25 14:09
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                                    SVF3N50D/MJ,N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及原胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高 的雪崩擊穿耐量。 該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/svf3n50dcs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]FIR5N50LG,TO-252,中文參數,引腳圖,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-25 13:52
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                                    FIR5N50BPG,LG硅N溝道增強型VDMOSFET，采用自對準平面技術獲得，可降低傳導損耗，提高開關性能并增強雪崩能量。 該晶體管可用于系統的各種電源開關電路小型化和更高的效率。 封裝形式為符合RoHS標準的TO-251。
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/fir5n50lgt_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]〔壹芯〕生產80N07場效應管80A-70V,參數達標,質量穩定[
                                        2021-06-08 12:17
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                                    〔壹芯〕生產80N07場效應管80A-70V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號：80N03　　　　　　　極性：NIDA(A)：80　　　　　　　VDSS(V)：70RDS(on)　MAX(Ω)：0.0085　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：60　Vgs(V)：20　Io(A)：40封裝：TO-220 TO-252VDMOSFET的知識科普垂直導電的雙擴散MOS結構稱為VDMOSFET，其典型結構如圖1.5所示。溝道部分是由同一擴散窗利用兩次擴散形
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxsc80n07c_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]〔壹芯〕生產120N03場效應管120A-30V,參數達標,質量穩定[
                                        2021-06-08 12:07
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                                    〔壹芯〕生產120N03場效應管120A-30V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號：120N03　　　　　　極性：NIDA(A)：120　　　　　　　VDSS(V)：30RDS(on)　MAX(Ω)：0.0038　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：1~3Gfs(min)　(S)：48　Vgs(V)：10　Io(A)：40封裝：TO-220 TO-252VVMOSFET的科普知識根據結構形式的不同，VMOSFET分為VVMOSFET和VDMOSFET兩種基本類型。VVMOSFET結
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxsc120n03_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]〔壹芯〕生產10N65場效應管10A-650V,參數達標,質量穩定[
                                        2021-06-07 09:46
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                                    〔壹芯〕生產10N65場效應管7A-650V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號：10N65　　　　　　　極性：NIDA(A)：10　　　　　　　VDSS(V)：650RDS(on)　MAX(Ω)：1.0　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：6.2　Vgs(V)：40　Io(A)：5.0封裝：TO-220場效應管的主要性能參數本文再次主要以VDMOS(垂直雙擴散MOS)為例進行介紹。VDMOS的結構如圖5-20所示。VDMOS的電性能參數如下。（1）闕
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxsc10n65c_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]vdmos結構原理與特點-LDMOS與VDMOS對比分析[
                                        2019-11-09 12:13
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                                    vdmos結構原理與特點-LDMOS與VDMOS對比分析vdmos介紹vdmos結構原理是本文要講述的，80年代以來，迅猛發展的超大規模集成電路技術給高壓大電流半導體注入了新的活力，一批新型的聲控功放器件誕生了，其中最有代表性的產品就是VDMOS聲效應功率晶體管。這種電流垂直流動的雙擴散MOS器件是電壓控制型器件。在合適的柵極電壓的控制下，半導體表面反型，形成導電溝道，于是漏極和源極之間流過適量的電流，VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優點。與雙極晶體管相比，它的開關速度，開關損耗小；輸入阻抗高，驅動功率小
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/vdmosjgyly_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]功率器件5大保護措施與技術發展趨勢如何[
                                        2019-11-09 11:41
                                        ]
        
                                
        
                                    功率器件5大保護措施與技術發展趨勢如何功率器件簡介本文講功率器件保護措施有哪些？我們先對功率器件做一個簡單的介紹。功率半導體是集成電路一個非常重要的組成部分，市場空間有400多億美元，從大方面講有200多億美元是功率IC，還有100多億是功率器件。手機充電器，手機當中都會有功率器件。功率器件主要的部分，體量比較大的是IGBT。把IGBT、VDMOS做好，就是一個很好的硬件廠商。IGBT模塊是雙子器件，它的特點是頻率低一點，但是能量密度稍微大一點。所以像在新能源汽車，軌道交通應用得更廣泛。功率器件的重要性，我們從下面
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/glqj5dbhcs_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
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