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[常見問題解答]三種PMOS管防倒灌電路設(shè)計方案及應(yīng)用分析[ 2024-12-06 11:43 ]

在電子電路的設(shè)計中，防止電流倒灌是一個非常重要的考慮因素。電流倒灌不僅會影響電路的正常工作，還可能導致設(shè)備的損壞。尤其是在電源管理系統(tǒng)中，如何有效防止電流倒灌，一直是工程師們面臨的技術(shù)難題。本文將探討三種使用PMOS管進行防倒灌的電路設(shè)計方案，詳細分析它們的工作原理、優(yōu)缺點以及實際應(yīng)用。一、基本原理：PMOS管防倒灌PMOS管，作為一種常見的場效應(yīng)晶體管，在電路設(shè)計中具有廣泛的應(yīng)用。由于PMOS管的結(jié)構(gòu)特點，其源極與漏極之間的電流方向與NMOS管相反，因此，PMOS管通常用于電流方向受控的場合。特別是在防倒灌電路設(shè)

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[常見問題解答]MOS管柵極電壓調(diào)控：如何選擇合適的電壓？[ 2024-10-29 14:55 ]

MOS管的柵極電壓調(diào)節(jié)在實際應(yīng)用中非常重要，影響電路的導通狀態(tài)、功耗以及整體穩(wěn)定性。柵極電壓的準確選擇可以有效優(yōu)化電路的工作性能。一、柵極電壓和閾值電壓之間的關(guān)系設(shè)置柵極電壓（VGS）必須首先與閾值電壓（Vth）相關(guān)。MOS管處于臨界電壓，由截止狀態(tài)變?yōu)閷顟B(tài)。對于NMOS管，當VGS大于Vth時電路開始導通，但對于PMOS管，VGS必須很小，因此要確保VGS高于閾值電壓。這是MOS管正常工作的前提，意味著柵極電壓的選擇首先取決于閾值電壓。假設(shè)NMOS管的Vth為1V，則柵極電壓可以設(shè)置為1.2V或1.5V以保證

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[常見問題解答]優(yōu)化PMOS基反接防護電路的設(shè)計與實施策略[ 2024-09-07 12:13 ]

在電子電路設(shè)計中，反接保護是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，特別是對于那些對電源極性敏感的設(shè)備。本文將詳細介紹如何優(yōu)化PMOS基反接防護電路的設(shè)計與實施策略，確保高效且經(jīng)濟地保護電路不受錯誤電源連接的影響。1. PMOS基反接防護電路的工作原理PMOS管作為一種常用的反接保護元件，其工作原理相對直接。在正常連接時，PMOS管的源極接入正電源，漏極連接負載。通過將PMOS的柵極接地，當輸入電壓正常時，PMOS管關(guān)閉，電流通過其體二極管流向負載。當輸入電壓達到PMOS的門檻電壓時，PMOS主通道導通，實現(xiàn)低壓降傳導。2. 設(shè)計考慮因素設(shè)

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[常見問題解答]如何利用PMOS管實現(xiàn)高效開關(guān)控制：電路實例解析[ 2024-09-07 11:44 ]

在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中，PMOS管因其高效的開關(guān)特性和低功耗的表現(xiàn)，廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)控制電路。本文將通過實例解析，詳細介紹如何利用PMOS管實現(xiàn)高效的開關(guān)控制，并探討其中的關(guān)鍵技術(shù)要點。1. PMOS管的基礎(chǔ)工作原理PMOS管是一種常見的MOSFET（場效應(yīng)管），其主要特點是當柵極電壓（G）相對于源極電壓（S）為負時導通。這意味著在使用PMOS管時，源極通常連接到電源正極，漏極連接到負載，而柵極則通過控制電路調(diào)節(jié)與源極的電壓差。在開關(guān)電路中，PMOS管的優(yōu)勢在于其易于控制的導通和關(guān)斷特性。與NMOS管相比，PMOS

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[常見問題解答]過壓保護電路設(shè)計介紹[ 2023-09-20 18:27 ]

過壓保護電路設(shè)計介紹簡單的過壓保護電路一般加個TVS可以實現(xiàn)，當外部有瞬間高能量沖擊時候它能夠把這股能量抑制下來，雖然功率高，上千W都可以，但是維持抑制的時間很短很短，萬一器件損壞或者長時間工作電壓高于正常工作電壓的時候，就力不從心了。所以最好的辦法是設(shè)計一個智能電路了，如下所示：Vin正常輸入電壓時，穩(wěn)壓管沒有反向擊穿，R3，R4電流基本為0。PNP三極管的Vbe=0，即PNP三極管不導通。PMOS管Q4的Vgs由電阻R5，R6分壓決定，PMOS管導通，即電源正常工作。當Vin輸入大于正常輸入電壓，此時Vin&g

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[常見問題解答]場效應(yīng)管組成的推挽電路與工作原理介紹[ 2023-08-02 17:04 ]

場效應(yīng)管組成的推挽電路與工作原理介紹1、P-MOS 管和 N-MOS管組成的推挽電路推挽電路是由兩個三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，電路工作時，兩只對稱的開關(guān)管每次只有一個導通，所以導通損耗小、效率高、既提高電路的負載能力，又提高開關(guān)速度。芯片的GPIO具有了“推挽輸出”和“開漏輸出”兩種模式，現(xiàn)在來分析下推挽輸出原理。推挽電路2、工作原理VOUT為GPIO口的輸出，當VIN為高電平時，上邊的PMOS管截止，NMOS管導通，對外VOUT輸出低電平當VIN

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[常見問題解答]MOS管的開關(guān)作用介紹[ 2023-05-17 17:43 ]

MOS管的開關(guān)作用介紹一、開關(guān)作用1、如下圖所示：當PQ27控制腳G為低電平時，PQ27截止，此時PQ26的控制腳G為高電平，PQ26導通。當PQ27控制腳G為高電平時，PQ27導通，此時PQ26的控制腳G為低電平，PQ26截止。以上MOS開關(guān)實現(xiàn)的是信號切換（高低電平切換）。2、MOS開關(guān)實現(xiàn)電壓通斷3、MOS管在電路中的一般連接方法NMOS管： D極接輸入；S極接輸出；PMOS管： S極接輸入；D極接輸出；如果反過來接會是什么情況呢？看下面的圖：由于寄生二極管直接導通，因此S極電壓可以無條件到D極，MOS管就失

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[常見問題解答]如何判斷NMOS管和PMOS管[ 2023-03-04 12:14 ]

MOS管的管腳有三個：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的位置以及它們各自導通的條件。MOS管有兩種：一個是PMOS管，一個是NMOS管；PMOS管就是positive管，是積極的管，而NMOS管是negative管，是消極的管。積極的管就是順應(yīng)潮流，順勢而為；消極的管就是違背趨勢，逆流而上。很顯然，電流從源極(輸入端)到漏極(輸出端)，那就是順勢而為，因為源極就是源頭嘛，因此這種管就是PMOS管；而電流要是從漏極(輸入端)

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[常見問題解答]電源防反接電路介紹[ 2023-03-01 17:51 ]

在電源輸入端一般都需要做一個防反接電路，常見的電路有兩種：一種串聯(lián)肖特基二極管; 另一種通過PMOS管或NMOS管。(一)使用肖特基二極管當正確插入電源，負載電流沿二極管正向流動，如果接反，二極管將被反向偏置并且阻止反向電流，從而保護負載免受負電壓的影響;如圖所示，當12V輸入快速反轉(zhuǎn)至-20V時，輸出電壓保持不變，不會立即崩潰或跟隨負輸入;放置在輸出端的大容量電容可防止輸出立即下降，并可在輸入電源恢復之前為負載供電一小段時間電路優(yōu)缺點：優(yōu)點：電路簡單;始終阻斷從負載流回電源的反向電流(這個與用MOS管是有區(qū)別的)

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[常見問題解答]nmos和pmos的認識與區(qū)別解析 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微[ 2021-09-29 18:47 ]

nmos管和pmos管的認識與區(qū)別解析 - 場效應(yīng)管 - 壹芯微雖然NMOS可以滿足很多場景的使用，但是有一些特殊場景就需要用到PMOS了。什么是nmos？NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組

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[行業(yè)資訊]AO3400場效應(yīng)管參數(shù) 封裝引腳規(guī)格書PDF 全國供應(yīng)商生產(chǎn)廠家[ 2021-08-21 11:24 ]

AO3400是N溝道NMOS場效應(yīng)管，AO3401則是P溝道PMOS管，兩者溝道不同，其他性能基本一致，Vds：-30V；Id：-4A；是其AO34xx代號的意思，代表主要性能；在低壓開關(guān)時建議使用AO3400，AO3401，Rds(ON)導通內(nèi)阻會稍小。高壓開關(guān)時需要用AO3407，及以上的，Vgs不同，MOS導通內(nèi)阻也不同，請比對規(guī)格書選用。

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[常見問題解答]詳解MOS管N溝道與P溝道兩種類型 - 壹芯微[ 2021-08-16 13:35 ]

詳解MOS管N溝道與P溝道兩種類型 - 壹芯微了解MOS/CMOS集成電路MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。PMOS門電路與NMOS電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。數(shù)字電路中MOS集成電路所使用的MOS管均為增強型管子，負載常用MOS管作為有源負載，這樣不僅節(jié)省了硅

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[常見問題解答]兩個PMOS管背靠背的用法解析(圖) - 壹芯微[ 2021-08-02 11:42 ]

兩個PMOS管背靠背的用法解析(圖) - 壹芯微2個PMOS 并聯(lián)電路描述：Q3是三極管，Q1和Q2是PMOS管，左右兩邊的+12V是輸入，VIN是輸出，用來給模塊供電，PHONE_POWER是控制信號。電路邏輯：PHONE_POWER輸出高電平時，Q3導通，Q1和Q2導通，VIN=+12V；PHONE_POWER輸出低電平時，Q3截止，Q和Q2截止，VIN=0V；所以看起來這個電路很簡單，問：為什么用兩個PMOS，Q1和Q2，用一個PMOS是不是也可以？懂得人一看就知道了，Q1和Q2導通時，左右兩邊1

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[行業(yè)資訊]「12N65」MOS場效應(yīng)管導通條件和基本開關(guān)電路解析 - 壹芯微[ 2021-07-31 09:10 ]

「12N65」MOS場效應(yīng)管導通條件和基本開關(guān)電路解析型號：12N65(12A,650V)封裝：TO-220品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管MOSFET多種封裝尺寸不同參數(shù)一致免費樣品歡迎咨詢導通條件NMOS管和PMOS管的導通條件不一樣。對于NMOS，當Vg-Vs>Vgs(th)時，MOS管導通，即G極和S極的差大于一定值，MOS管會導通，但是也不能大太多，Vgs(th)和其他參數(shù)需要看MOS管的SPEC。對于PMOS，和ZMOS管是相反的，當Vs-Vg>vsg(th)時，PMOS管導通，即S極和

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[行業(yè)資訊]「IRF3205」場效應(yīng)MOS管驅(qū)動原理解析(圖) - 壹芯微[ 2021-07-28 09:20 ]

「IRF3205」場效應(yīng)MOS管驅(qū)動原理解析(圖) - 壹芯微型號：IRF3205(110A,55V)封裝：TO-220/TO-262/TO-263品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管MOSFET多種封裝尺寸不同參數(shù)一致免費樣品歡迎咨詢下圖為MOS驅(qū)動電路的電路圖。驅(qū)動電路采用Totem輸出結(jié)構(gòu)設(shè)計，上拉驅(qū)動管為NMOS管N4、晶體管Q1和PMOS管P5。下拉驅(qū)動管為NMOS管N5。圖中CL為負載電容，Cpar為B點的寄生電容。虛線框內(nèi)的電路為自舉升壓電路。驅(qū)動電路的設(shè)計思想是利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動管N4的柵極

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[行業(yè)資訊]「AO3415」MOS管作為開關(guān)控制時為何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微[ 2021-07-26 09:10 ]

「AO3415」MOS管作為開關(guān)控制時為何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS 做上管的電路設(shè)計復雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開通 / 關(guān)斷原理，請看下圖：NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；而PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位

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[常見問題解答]絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET) 基本知識圖解[ 2021-04-09 10:01 ]

絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET) 的基本知識增強型NMOS管s：Source 源極，d：Drain 漏極，g：Gate 柵極，B：Base 襯底，在P型襯底擴散上2個N 區(qū)，P型表面加SiO2絕緣層，在N 區(qū)加鋁線引出電極。2.增強型PMOS管在N型襯底上擴散上2個P 區(qū)，P型表面加SiO2絕緣層，在二個P 區(qū)加鋁線引出電極。PMOS與NMOS管的工作原理完全相同，只是電流和電壓方向不同。3.增強型NMOS管的工作原理正常工作時外加電源電壓的配置：(1)VGS=0, VDS=0：漏源間是兩個背靠背串聯(lián)的PN結(jié)，所以d-

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[常見問題解答]常見雙電源選擇供電電路-場效應(yīng)管應(yīng)用電路分析(1)[ 2021-04-07 10:18 ]

常見雙電源選擇供電電路-場效應(yīng)管應(yīng)用電路分析(1)先上今天的電路，一個簡單的雙電源供電系統(tǒng)?？梢岳斫鉃?，一個為電池供電，一個為充電器供電。需要對供電進行選擇，情景為當充電器存在的時候，系統(tǒng)供電走充電器；當充電器不在的時候，系統(tǒng)供電走電池。PMOS管為電源開關(guān)電壓選擇V8V存在，并且V8V的電壓高于VBAT Vgs>-0.4V ,則V8V會提供全部電壓，PMOS關(guān)斷，VBAT無法提供電壓給VSIN；V8V不在，電壓低，由于Vgs<-1.5V,Q8導通，VBAT供電給VSIN。接地R120作用：保證初始

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[常見問題解答]貼片三極管與場效應(yīng)管MOS管的識別[ 2021-03-16 13:33 ]

貼片三極管與場效應(yīng)管MOS管的識別數(shù)碼電子產(chǎn)品中的三極管與場效應(yīng)管一般也為黑色，大多數(shù)為三只引腳，少數(shù)為四只引腳(三極管中有兩個腳相通，一般為發(fā)射極E或源極S)。也有雙三極管封裝、雙MOS管封裝形式。需要說明的是，晶體三極管的外形和作用與場效應(yīng)管極為相似，在電路板上很難區(qū)分，只有借助于原理圖和印制板圖識別，判斷時應(yīng)注意區(qū)分，以免誤判。三極管有NPN、PNP兩種類型，場效應(yīng)管有NMOS管、PMOS管兩種類型，其柵極G、源極S、漏極D分別對應(yīng)于三極管的基極B、發(fā)射極E、集電極C。但與三極管相比，場效應(yīng)管具有很高的輸入電

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[常見問題解答]貼片三極管以及場效應(yīng)管(MOS)的識別[ 2021-03-02 11:04 ]

貼片三極管以及場效應(yīng)管(MOS)的識別數(shù)碼電子產(chǎn)品中的三極管與場效應(yīng)管一般也為黑色，大多數(shù)為三只引腳，少數(shù)為四只引腳(三極管中有兩個腳相通，一般為發(fā)射極E或源極S)。也有雙三極管封裝、雙MOS管封裝形式。需要說明的是，晶體三極管的外形和作用與場效應(yīng)管極為相似，在電路板上很難區(qū)分，只有借助于原理圖和印制板圖識別，判斷時應(yīng)注意區(qū)分，以免誤判。三極管有NPN、PNP兩種類型，場效應(yīng)管有NMOS管、PMOS管兩種類型，其柵極G、源極S、漏極D分別對應(yīng)于三極管的基極B、發(fā)射極E、集電極C。但與三極管相比，場效應(yīng)管具有很高的輸

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