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[常見問題解答]基于PMOS的電源防倒灌與反接保護電路設(shè)計[ 2025-03-13 15:06 ]

在電子電路設(shè)計中，電源保護是一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，尤其是在防止電源倒灌和電源反接的問題上，合理的設(shè)計可以有效防止電路損壞，提高系統(tǒng)的可靠性。PMOS（P溝道MOSFET）因其結(jié)構(gòu)特點和易于控制的特性，被廣泛用于高側(cè)開關(guān)及電源保護電路中。一、電源倒灌和反接的風(fēng)險在電源管理電路中，常見的兩個問題是電源倒灌（Reverse Current）和電源反接（Reverse Polarity）。1. 電源倒灌：當(dāng)電源輸入端（VCC）斷電，而負(fù)載端仍然帶有電壓（如電池或超級電容），可能導(dǎo)致電流從負(fù)載端反向流入電源端。這種情況不僅可能

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[技術(shù)文章]AO3415 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-27 14:53 ]

AO3415 是一種高效的P溝道MOSFET，其設(shè)計精良使其在眾多電子設(shè)備中擔(dān)任重要角色。以下是關(guān)于 AO3415 的應(yīng)用場景和參數(shù)特點的進一步闡述：一、應(yīng)用場景1. 移動設(shè)備：在智能手機和平板等移動設(shè)備中，AO3415 被廣泛用于電源管理系統(tǒng)。其優(yōu)異的導(dǎo)電性能有助于延長設(shè)備的電池續(xù)航能力，同時確保設(shè)備在低功耗模式下的高效運行。2. 便攜式充電器： AO3415 在充電器設(shè)計中發(fā)揮關(guān)鍵作用，控制電流流向以優(yōu)化充電效率和安全性，保障用戶設(shè)備的穩(wěn)定充電。3. LED照明系統(tǒng)： AO3415 能夠有效控制LED燈具的電流

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[技術(shù)文章]AO3401A 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-24 16:40 ]

AO3401A 是一種常用的P溝道MOSFET，廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池保護和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。這種器件以其高效率和低功耗而聞名，非常適用于需要增強電源效率和延長電池壽命的便攜式電子設(shè)備。AO3401A 的參數(shù)特點包括低門極電壓（Vgs），通常為-20V，以及較高的漏源電壓（Vds），最高可達-30V。此外，AO3401A 的漏電流極低，通常在微安級別，使得它非常適合用于低功耗應(yīng)用。此外，這款MOSFET具有較低的導(dǎo)通阻抗，提高了設(shè)備的整體效率。在實際應(yīng)用中，AO3401A 通常用于便攜式設(shè)備的電池

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[常見問題解答]MOS管場效應(yīng)管漏極導(dǎo)通特性介紹[ 2023-11-29 18:36 ]

MOS場效應(yīng)管一共幾種類型MOS場效應(yīng)管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，有以下幾種常見的類型：1. N溝道MOSFET（N-Channel MOSFET）：這是一種以N型溝道為特征的MOSFET。在這種器件中，溝道區(qū)域由N型材料構(gòu)成，通過正向偏置來控制電流。2. P溝道MOSFET（P-Channel MOSFET）：這是一種以P型溝道為特征的MOSFET。在這種器件中，溝道區(qū)域由P型材料構(gòu)成，通過負(fù)向偏置來控制電流。3. 增強型MOSFET（Enhancement-Mode MOSFET）：增強型MOSFET需要在

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[常見問題解答]場效應(yīng)管的源極作用解析[ 2023-10-09 18:33 ]

場效應(yīng)管的源極作用解析MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，其中源極是MOSFET的一個重要引腳。MOSFET的源極通常用于輸入信號和輸出負(fù)載電流。在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場的參考點，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會從源極流入器件。通過改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動。總之，MOSFET的源極是器件的一個重要引腳，它承擔(dān)著輸入信號和輸出負(fù)載電流的作用，在MOS

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[常見問題解答]電源敏感的電路中，電源IC如何選擇介紹[ 2022-11-28 18:00 ]

在電路設(shè)計時，常用的電源器件無外乎兩種，DC/DC和LDO。LDOLDO是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，或者叫低壓降器件，說明它一般用于需要降壓的場合，具有成本低，噪音低，靜態(tài)電流小等優(yōu)點。它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。LDO線性穩(wěn)壓器的性能之所以能夠達到這個水平，主要原因在于其中的調(diào)整管是用P溝道MOSFET。P溝道MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流。另外，P溝道MOSFET上的電壓降大致等于輸出電流與導(dǎo)通電阻的乘積。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很小，因而它上面的電壓

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[行業(yè)資訊]TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝[ 2022-02-14 16:16 ]

TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝描述TPS22901YFPR是一款小型低導(dǎo)通電阻(rON)負(fù)載開關(guān)，具有可控導(dǎo)通功能。該器件包含一個P溝道MOSFET，可在1.0至3.6V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該開關(guān)由開/關(guān)輸入(ON)控制，可直接與低壓控制信號連接。TPS22901采用0.4mm間距、節(jié)省空間的4引腳DSBGA(YFP)封裝。該設(shè)備的特點是可在-40至85°C的自由空氣溫度范圍內(nèi)運行。產(chǎn)品概述制造商德州儀器制造商產(chǎn)品編號TPS22901YFPR供應(yīng)商德州儀器描述IC PWR 開關(guān) P-C

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[行業(yè)資訊]TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝 - 壹芯微[ 2022-02-11 15:23 ]

TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝 - 壹芯微描述TPS22901YFPR是一款小型低導(dǎo)通電阻(rON)負(fù)載開關(guān)，具有可控導(dǎo)通功能。該器件包含一個P溝道MOSFET，可在1.0至3.6V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該開關(guān)由開/關(guān)輸入(ON)控制，可直接與低壓控制信號連接。TPS22901采用0.4mm間距、節(jié)省空間的4引腳DSBGA(YFP)封裝。該設(shè)備的特點是可在-40至85°C的自由空氣溫度范圍內(nèi)運行。產(chǎn)品概述制造商德州儀器制造商產(chǎn)品編號TPS22901YFPR供應(yīng)商德州儀器描述IC PWR

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[常見問題解答]〔壹芯〕生產(chǎn)100N03場效應(yīng)管100A-30V,參數(shù)達標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定[ 2021-06-08 11:53 ]

〔壹芯〕生產(chǎn)100N03場效應(yīng)管100A-30V,參數(shù)達標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定場效應(yīng)管(MOSFETS)型號：100N03　　　　　　　極性：NIDA(A)：100　　　　　　　VDSS(V)：30RDS(on)　MAX(Ω)：0.0042　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：1~3Gfs(min)　(S)：40　Vgs(V)：10　Io(A)：30封裝：TO-220 TO-252圖(l.3)N溝道和P溝道MOSFET的圖形符號電力MOSFET研究的目的主要是解決MOS器件的大電流、高電壓問題，以提高其功率

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[常見問題解答]場效應(yīng)管放大電路圖解[ 2021-04-17 09:29 ]

場效應(yīng)管放大電路圖解金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)管N溝道增強型MOSFET柵源加電壓，在電場作用下產(chǎn)生溝道。產(chǎn)生溝道的門限開啟電壓VT。漏源加電壓，產(chǎn)生電壓梯度，導(dǎo)致溝道夾斷。預(yù)夾斷的臨界條件輸出特性特性方程可變電阻區(qū)飽和區(qū)N溝道耗盡型MOSFET柵源加負(fù)電壓，在電場作用下溝道減小。耗盡溝道的夾斷電壓VP。輸出特性P溝道MOSFET溝道長度調(diào)制效應(yīng)理想情況下，MOSFET工作在飽和區(qū)時，漏極電流與漏源電壓無關(guān)。而實際上，漏源電壓對溝道長度L的調(diào)制作用，漏源電壓增加時，漏極電流會有所增加。因此，輸出特性公式需

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[常見問題解答]MOS管識別以及MOS管與IGBT管的辨別[ 2020-12-07 15:11 ]

MOS管識別以及MOS管與IGBT管的辨別MOSFET類型識別小結(jié)1）P溝道與N溝道的識別。MOS管識別，MOSFET在導(dǎo)通時，傳輸電流的層為P溝道的，則為P溝道MOSFET；傳輸電流的層為N溝道的，則為N溝道MOSFET。從原理圖中看的話，可以看圖上中漏極源極下方所示的為N型硅還是P型硅。從代表符號上來識別的話，則是可以看中間短線上的箭頭方向，向內(nèi)則為N溝道，向外則為P溝道。（想象PN結(jié)的指向，P在箭尾，N在箭頭，靠近短線的則表明其屬性）2）耗盡型與增強型的識別。由于MOSFET的導(dǎo)電能力就是在導(dǎo)電溝道形成的時候

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[常見問題解答]用光耦合器驅(qū)動達林頓晶體管圖解[ 2020-07-16 17:05 ]

用光耦合器驅(qū)動達林頓晶體管圖解在本系列中，我已經(jīng)說明了許多電路組合。在上面的示意圖中，我將TIP120達林頓功率晶體管用于高端（Vcc）開關(guān)。這樣做是因為很難在p溝道MOSFET上找到高電流，低電阻。我嘗試使用的2個p溝道MOSFET IRF9540和IRF6930過熱并且掉了很多電壓。它們設(shè)計用于高壓，低電流，高頻開關(guān)。兩者的抵抗力都很高。MOSFET的源極柵極電壓（Vgs）低，通常限制為20伏。這意味著如果沒有完整的電路返工，我將無法使用24伏，36伏或48伏電動機。注意：在此示例中，電機電壓必須與12伏邏輯電

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[常見問題解答]CMOS-互補MOSFET工作原理和優(yōu)勢簡介[ 2020-04-21 14:39 ]

CMOS-互補MOSFET工作原理和優(yōu)勢簡介CMOS-互補金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管簡介互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件是其中P溝道和N溝道增強MOSFET以推挽式布置連接的芯片。CMOS的基本連接如圖所示。N溝道和P溝道CMOS連接上圖顯示了各種CMOS連接，尤其是N溝道和P溝道CMOS連接。在該電路中，兩個MOSFET（P溝道MOSFET和N溝道MOSFET）串聯(lián)連接，使P溝道器件的源極連接到正電源+VDD，并連接N溝道器件的源極到地面。兩個器件的柵極作為公共輸入連接，兩個器件的漏極端子作為公共輸出連接在一起。當(dāng)輸入

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[常見問題解答]CMOS的柵極-雙極型晶體管-P溝道MOSFET[ 2019-09-18 11:33 ]

圖14.23(a)為- CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強型MOSFET；對PMOS器件而言，閾值電壓VTn小于零，而對NMOS器件而言，閾值電壓VTn大于零（通常閾值電壓約為1/4VDD）．當(dāng)輸入電壓Y1為接地或是小的正電壓時，PMOS器件導(dǎo)通(PMOS柵極-地間的電勢為-VDD，較vTp更小)，而NMOS為關(guān)閉狀態(tài)．因而，輸出電壓Vo十分接近VDD。（邏輯1）．當(dāng)輸入為VDD時，PMOS(Vcs=0)為關(guān)閉狀態(tài)，而NMOS為導(dǎo)通狀態(tài)(Vi=VDD，>VTn)．所以

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[常見問題解答]MOS管-mosfet工作原理結(jié)構(gòu),特性詳解[ 2019-01-15 17:48 ]

壹芯微作為國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)MOS管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分析一些知識或者客戶的一些問題,來出來分享,MOS管-mosfet工作原理結(jié)構(gòu),特性詳解,請看下方p溝道增強型mosfetP溝道m(xù)osfet介紹金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正

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