來源：壹芯微 發布日期
2021-04-17 瀏覽：-場效應管放大電路圖解
金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管
N溝道增強型MOSFET
柵源加電壓，在電場作用下產生溝道。產生溝道的門限開啟電壓VT。
漏源加電壓，產生電壓梯度，導致溝道夾斷。預夾斷的臨界條件
輸出特性
特性方程
可變電阻區
飽和區
N溝道耗盡型MOSFET
柵源加負電壓，在電場作用下溝道減小。耗盡溝道的夾斷電壓VP。
輸出特性
P溝道MOSFET
溝道長度調制效應
理想情況下，MOSFET工作在飽和區時，漏極電流與漏源電壓無關。而實際上，漏源電壓對溝道長度L的調制作用，漏源電壓增加時，漏極電流會有所增加。因此，輸出特性公式需要進行修正
典型器件，λ的值近似表示為，單位μm
壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試，應用各大領域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話：13534146615
企業QQ：2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號：粵ICP備2020121154號
