国产一区精品无码,97性无码区免费,波多野结衣美乳人妻hd电影欧美

[常見問題解答]解析IGBT模塊散熱系統(tǒng)的設(shè)計與熱管理技術(shù)[ 2025-04-21 15:11 ]

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在功率電子設(shè)備中被廣泛應(yīng)用，由于其在高功率、高電壓下的工作特點，散熱管理成為其設(shè)計中的重要環(huán)節(jié)。有效的熱管理不僅能提升系統(tǒng)的效率，還能延長設(shè)備的使用壽命。一、散熱設(shè)計的基礎(chǔ)原則IGBT模塊在工作時會產(chǎn)生大量的熱量，這些熱量必須迅速有效地散發(fā)出去，否則將導(dǎo)致器件溫度過高，甚至可能導(dǎo)致?lián)p壞。散熱設(shè)計的核心目標(biāo)是確保模塊的溫升控制在安全范圍內(nèi)，同時降低系統(tǒng)的能量損耗。熱管理設(shè)計通常從以下幾個方面入手：- 熱阻分析：熱阻是熱流從源頭到散熱器表面之間的阻力。合理的熱阻分配對于保證溫度均衡至關(guān)

http://www.kannic.com/Article/jxigbtmksr_1.html

[常見問題解答]IGBT功率模塊散熱不良的常見原因與優(yōu)化思路[ 2025-04-12 11:01 ]

在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊已經(jīng)成為逆變器、電源、充電樁、新能源汽車及工業(yè)自動化等核心領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵器件。然而，在實際應(yīng)用過程中，IGBT模塊的散熱問題卻始終是影響系統(tǒng)穩(wěn)定性和使用壽命的重要因素。一旦散熱處理不當(dāng)，極易導(dǎo)致器件溫度升高、性能衰退甚至失效。一、散熱不良的常見原因1. 熱阻過大是根源問題很多工程現(xiàn)場的IGBT模塊散熱問題，往往與熱阻過大密不可分。熱阻存在于IGBT內(nèi)部芯片與DBC基板之間、DBC與散熱器之間、以及散熱器與外界空氣之間。如果這三個位置的接觸不良、材料不佳

http://www.kannic.com/Article/igbtglmksr_1.html

[常見問題解答]不同封裝對比解析：如何為MDD整流二極管選型？DIP、SMA與DO-41誰更優(yōu)？[ 2025-03-28 12:13 ]

在電子產(chǎn)品的電源模塊設(shè)計中，MDD整流二極管作為核心元件之一，其封裝形式不僅關(guān)系到器件的電氣性能，還直接影響生產(chǎn)工藝、散熱效率及系統(tǒng)成本。因此，工程師在選型階段，必須全面考慮封裝的適用性與工程匹配度。一、封裝不僅是“外殼”許多初學(xué)者容易將整流二極管的封裝誤解為純粹的外觀包裝，事實上，它對器件的工作電流、散熱能力和機械強度有著決定性影響。例如，熱阻（RθJA）越低，器件在同等功率下的溫升就越小，從而提升整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。封裝形式同時決定安裝方式，如是選擇表貼（SMT）還是插件（THT），也會影

http://www.kannic.com/Article/btfzdbjxrh_1.html

[常見問題解答]避開整流橋選型誤區(qū)：從電流沖擊到熱管理的全流程拆解[ 2025-03-24 11:20 ]

在構(gòu)建電源系統(tǒng)時，整流橋件的選擇往往隱藏著高風(fēng)險。一旦選型錯誤，不僅會引發(fā)電氣故障，還可能導(dǎo)致整機失效。特別是在高頻、高浪涌和大電流環(huán)境中，整流橋的性能直接決定了系統(tǒng)的穩(wěn)定性與壽命。一、誤區(qū)一：忽略浪涌電流承受能力某變頻空調(diào)上電瞬間出現(xiàn)超過180A的浪涌電流，然而其整流器的Ifsm耐值僅為90A，導(dǎo)致器件炸裂。核心問題：電容充電瞬態(tài)電流可能成倍放大，尤其是在低ESR輸入下。建議方案：采用NTC浪涌抑制器限制初始電流，如選用5D-9系列熱敏電阻，并對Ifsm參數(shù)留有50%以上冗余設(shè)計空間。二、誤區(qū)二：熱阻低估導(dǎo)致過溫

http://www.kannic.com/Article/bkzlqxxwqc_1.html

[常見問題解答]LED檢測必備知識：你不可不知的五大測試標(biāo)準(zhǔn)[ 2024-07-12 11:34 ]

一、LED熱學(xué)特性和結(jié)溫測量在LED的應(yīng)用中，熱管理是不可忽視的一環(huán)。熱阻和結(jié)溫是評估LED熱性能的兩個關(guān)鍵指標(biāo)。熱阻定義為器件熱流路徑上的溫差與功率耗散的比例，而結(jié)溫則指的是LED的半導(dǎo)體結(jié)的實際溫度。常用的結(jié)溫測量技術(shù)包括紅外測溫和熱偶測量法。前者通過捕捉芯片表面的紅外輻射來估計溫度，而后者則通過直接測量小型熱偶的溫度來確定。二、LED優(yōu)勢：節(jié)能與環(huán)保LED光源以其高效率和長壽命被廣泛認(rèn)可。相較于傳統(tǒng)白熾燈，LED的能效高達(dá)20-28lm/w，壽命可超過100,000小時，顯著優(yōu)于其他類型的照明。此外，LED燈

http://www.kannic.com/Article/ledjcbbzsn_1.html

[常見問題解答]電力電子電路設(shè)計優(yōu)化：利用仿真微調(diào)技術(shù)提升效率[ 2024-05-14 10:52 ]

在電力電子領(lǐng)域，準(zhǔn)確度是至關(guān)重要的一個因素。仿真的精確性直接受到所使用的器件模型真實性的影響。不管是 IGBT、硅碳 (SiC) 還是硅基 MOSFET，其仿真的可信度都與模型的準(zhǔn)確性緊密相連。有句古話說，“進(jìn)垃圾，出垃圾”，意指如果輸入的數(shù)據(jù)質(zhì)量差，輸出的結(jié)果也同樣不佳。在設(shè)計系統(tǒng)級模型時，設(shè)計師通常依據(jù)產(chǎn)品手冊中的實驗室測試數(shù)據(jù)（如導(dǎo)通損耗、能量損耗和熱阻等）來構(gòu)建，而這一做法也被大多數(shù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)采用。但是，這些基于手冊的模型來源于特定的實驗室設(shè)置和環(huán)境，通常不能全面反映出現(xiàn)實中各種環(huán)境條

http://www.kannic.com/Article/dldzdlsjyh_1.html

[常見問題解答]選擇最佳功率MOSFET封裝：應(yīng)用場景的關(guān)鍵考慮因素[ 2024-05-08 10:00 ]

在電子設(shè)計領(lǐng)域，選擇合適的功率MOSFET和功率模塊封裝是一個關(guān)鍵的決策點，尤其是在面對日益復(fù)雜的技術(shù)需求時。工程師在初步設(shè)計階段需要從眾多可用的封裝選項中挑選出最佳的一個，這需要綜合考慮熱性能、成本、尺寸以及電氣性能等多種因素。一、封裝的熱性能考慮封裝的選擇首先要考慮的是其熱性能，因為它直接影響到功率器件的可靠性和效率。封裝的熱阻抗是評價其熱性能的關(guān)鍵指標(biāo)，它表明了封裝在標(biāo)準(zhǔn)操作條件下從半導(dǎo)體結(jié)到環(huán)境的熱傳遞能力。高熱阻抗意味著封裝的散熱能力較差，可能導(dǎo)致器件在高功率應(yīng)用中過熱，從而影響性能和壽命。二、封裝類型與

http://www.kannic.com/Article/xzzjglmosf_1.html

[常見問題解答]LED封裝類型全解析：新手必學(xué)的五種發(fā)光二極管設(shè)計[ 2024-04-10 11:26 ]

在當(dāng)代的綠色光源領(lǐng)域，LED技術(shù)已成為光照設(shè)備核心的一環(huán)，突顯了其核心地位。然而，LED的不同包裝方式直接影響了其光效和性能，這就要求設(shè)計師們對包裝設(shè)計給予足夠的重視。針對各種獨特的使用需求和光電性能指標(biāo)，LED封裝技術(shù)呈現(xiàn)多樣化。總結(jié)來看，以下是幾種主要的封裝類型：一、功率級封裝這類LED的封裝多樣，其共同特點是具有較大的底部接合面積和鏡面反射功能，高導(dǎo)熱系數(shù)以及極低的熱阻，能夠迅速將熱量從芯片內(nèi)部導(dǎo)出，保持芯片和外界環(huán)境之間的溫差較小。這對于提升功率LED的性能至關(guān)重要。二、貼片式封裝通過將LED芯片粘貼在微型

http://www.kannic.com/Article/ledfzlxqjx_1.html

[常見問題解答]電子電路中的熱阻參數(shù)介紹[ 2024-01-05 18:26 ]

電子電路中的熱阻參數(shù)介紹從電子流動的方向出發(fā)，阻礙電子流動的參數(shù)為電阻，在高頻領(lǐng)域稱為阻抗，在實際電路中，電路工作過程會產(chǎn)生大量功耗，所有的功耗均需要進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換，其中，熱能是需要考慮的重要的一點，從熱流動的方向出發(fā)，阻礙熱量流動的參數(shù)即為熱阻。理想的元器件均不會考慮熱的影響，但實際元器件全部離不開熱的影響，從電阻到電容到芯片，所有的電子元器件都會有溫度影響的參數(shù)曲線，實際應(yīng)用中，熱阻的理解類似于電阻。對于實際元器件，受加工工藝和應(yīng)用的影響，器件引腳和器件封裝只是一個外部體現(xiàn)，從熱方面考慮，真正需要考慮的是器件的結(jié)

http://www.kannic.com/Article/dzdlzdrzcs_1.html

[常見問題解答]MOS管、場效應(yīng)管熱阻如何測量[ 2023-08-09 17:57 ]

MOS管、場效應(yīng)管熱阻如何測量1、首先，明確兩個概念：穩(wěn)態(tài)熱阻：兩處測量點溫差△T，單位時間內(nèi)通過散熱面的能量為Pd，熱阻RΘ=△T/Pd，單位℃/W。它是一個反映了散熱體散熱性能的參數(shù)。熱阻越大，散熱越慢。（字面意思理解也很簡單，阻礙熱量傳遞的能力）瞬態(tài)熱阻：因為電子器件的溫升并不一定非常平滑。峰值溫度往往比平均溫度更加致命。所以峰值溫度成為了限制器件工作特性的主要因素。溫度的峰值往往出現(xiàn)在脈沖寬度tp較短，占空比D低的情況下，這說明器件的溫升不僅僅與Pd相關(guān)了，還和脈沖寬度、脈沖形狀（方波、鋸齒波、正弦波這種的

http://www.kannic.com/Article/mosgcxygrz_1.html

[常見問題解答]ESD二極管兼作溫度傳感器介紹[ 2023-02-09 16:26 ]

問：根據(jù)數(shù)據(jù)手冊規(guī)格估算高速放大器的結(jié)溫有多準(zhǔn)確？結(jié)溫是否易于測量？答：從環(huán)境溫度（T一個）、功耗（PD），和熱阻 θJA），如公式1所示。TJ = TA + PDθJA (1)他告訴我一種替代方法，通過使用片上輸出級保護(hù)二極管作為溫度傳感器來獲得常用3端子穩(wěn)壓器的結(jié)溫。他的公司在日常測試和評估期間使用保護(hù)二極管測量穩(wěn)壓器的結(jié)溫。這種溫度檢測技術(shù)也可用于高速運算放大器。在圖1中，二極管D3和D4保護(hù)運算放大器免受靜電放電（ESD）的損壞。二極管 D

http://www.kannic.com/Article/esdejgjzwd_1.html

[常見問題解答]MOS管參數(shù)詳解[ 2022-12-26 16:03 ]

我們打開一個 MOS 管的 SPEC，會有很多電氣參數(shù)，今天說一說熱阻、電容和開關(guān)時間這三個。熱阻，英文 Thermal resistance，指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W 或者是 K/W。半導(dǎo)體散熱的三個途徑，封裝頂部到空氣，封裝底部到電路板，封裝引腳到電路板。結(jié)到空氣環(huán)境的熱阻用 ThetaJA 表示，ThetaJA = (Tj-Ta)/P其中Tj為芯片結(jié)溫，Ta為芯片環(huán)境溫度，如下圖所示。還有一些其他的熱阻參數(shù)如下：ThetaJC=(Tj-Tc)/P，結(jié)到

http://www.kannic.com/Article/mosgcsxj_1.html

[常見問題解答]MOS管SOA區(qū)間分析介紹[ 2022-12-23 14:17 ]

功率MOS在使用過程中是否能夠安全持續(xù)的工作，是設(shè)計者必須要考慮的問題，設(shè)計者在應(yīng)用MOS時，必須考慮MOS的SOA區(qū)間，我們知道開關(guān)電源中的MOS長期工作在高電流高電壓下，很容易出現(xiàn)過熱燒毀的情況，如果散熱不及時的話，很容易發(fā)生爆炸。那什么是MOS的安全工作區(qū)域呢？我們稱為SOA （Safe operating area）由一系列限制條件組成的一個漏源極電壓VDS和漏極電流ID的二維坐標(biāo)圖，開關(guān)器件正常工作時的電壓和電流都不應(yīng)該超過該限定范圍。結(jié)合功率MOSFET的耐壓、電流特性和熱阻特性，來理解功率MOSFET

http://www.kannic.com/Article/mosgsoaqjf_1.html

[常見問題解答]IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型介紹[ 2022-09-14 17:46 ]

功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設(shè)計及使用過程中如何保證其可靠運行，一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)以內(nèi)，還要對器件及系統(tǒng)的熱特性進(jìn)行精確設(shè)計，才能既保證器件長期可靠運行，又充分挖掘器件的潛力。而對功率器件及整個系統(tǒng)的熱設(shè)計，都是以器件及系統(tǒng)的熱路模型為基礎(chǔ)來建模分析的，本文對IGBT模塊的等效熱路模型展開基礎(chǔ)介紹，所述方法及思路也可用于其他功率器件的熱設(shè)計。表征熱特性的物理參數(shù)有兩個：熱阻R和熱容C，熱阻R是反映物體對熱量傳導(dǎo)的阻礙效果，而熱容C則是衡量物質(zhì)所包

http://www.kannic.com/Article/igbtmkjsrx_1.html

[行業(yè)資訊]RJK5030DPD場效應(yīng)管參數(shù) RJK5030DPD參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 17:54 ]

RJK5030DPD場效應(yīng)管參數(shù) RJK5030DPD參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕RJK5030DPD參數(shù)資料,選型替代,RJK5030DPD封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓VDSS：500V柵源電壓VGSS：30V漏極電流ID：5A漏極峰值電流ID(脈沖)：20A雪崩電流IAP：5A通道耗散Pch：41.7W通道到外殼的熱阻抗符號θch-c：3.0C/W通道溫度Tch：150C儲存溫度Tstg：-55至+150C〔壹芯微〕國內(nèi)功率半導(dǎo)體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應(yīng)管)、可

http://www.kannic.com/Article/rjk5030dpd_1.html

[行業(yè)資訊]TK4P50D場效應(yīng)管參數(shù) NDD05N50ZT4G參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-15 15:17 ]

TK4P50D場效應(yīng)管參數(shù) TK4P50D參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕TK4P50D參數(shù)資料,選型替代,TK4P50D封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：4A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：4A漏極電流-脈沖(IDP)：16A單脈沖雪崩能量(EAS)：114mJ重復(fù)雪崩能量(EAR)：8mJ功耗(TC=25°C)(PD)：80W工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150°С熱阻-結(jié)

http://www.kannic.com/Article/tk4p50dcxy_1.html

[行業(yè)資訊]SS54L肖特基二極管參數(shù),SS54L參數(shù)_中文資料_規(guī)格書下載[ 2021-11-18 18:03 ]

SS54L肖特基二極管參數(shù),SS54L參數(shù)_中文資料_規(guī)格書下載SS54L參數(shù)及代換,SS54L中文資料,現(xiàn)貨采購,二極管專業(yè)生產(chǎn)廠商SS54L肖特基封裝引腳圖壹芯微專業(yè)供應(yīng)SS54L肖特基二極管，可替代昂貴的進(jìn)口品牌對應(yīng)型號。SS54L.pdf 數(shù)據(jù)手冊(規(guī)格書)下載SS54L肖特基二極管主要參數(shù)如下:參數(shù)值單位最大重復(fù)峰值反向電壓40V最大有效電壓28V最大隔直電壓40V最大平均正向整流電流5.0A峰值正向浪涌電流120A最大瞬時正向電壓0.45V最大直流反向電流1.0mA典型結(jié)電容380pF典型熱阻

http://www.kannic.com/Article/ss54lxtjej_1.html

[行業(yè)資訊]CJD02N65場效應(yīng)(MOS管)參數(shù) 報價原廠直銷免費樣品 - 壹芯微[ 2021-09-16 11:50 ]

CJD02N65場效應(yīng)(MOS管)參數(shù) 報價原廠直銷免費樣品 - 壹芯微CJD02N65場效應(yīng)管主要參數(shù) 極性：N溝道；電壓(VDSS)：650V；電流(ID)：2A；封裝(Pageke)：TO-252；大芯片，高品質(zhì)，原廠批量直銷，提供技術(shù)支持，免費送樣測試，替代原裝進(jìn)口品牌型號漏源電壓 VDS 650 V柵源電壓 VGSS ±20 V持續(xù)漏極電流 ID 2 A脈沖漏極電流 IDM 8 A單脈沖雪崩能量 (note1) EAS 128 mJ功率耗散 PD 1.25 W從結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA

http://www.kannic.com/Article/cjd02n65cx_1.html

[常見問題解答]MOS管的知識-MOSFET耗散功率計算圖文分析[ 2020-12-01 15:58 ]

MOS管的知識-MOSFET耗散功率計算圖文分析計算MOSFET的耗散功率為了確定一個MOSFET是否適合于某特定應(yīng)用，你必須計算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關(guān)損耗兩部分:由于MOSFET耗散功率很大程度上依賴于它的導(dǎo)通電阻(Rds(ON)，計算RDs(ON)看上去是一個很好的出發(fā)點。但是MOSFET的Rds(ON)與它的結(jié)溫(Tj)有關(guān)。話說回來，Tj 又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻(θjA)。這樣，似乎很難找到一個著眼點。由于功率耗散的計算涉及到若干個相互依賴的因素，我們可以采用一種

http://www.kannic.com/Article/mosgdzsmos_1.html

[常見問題解答]mos管功耗-mos管功耗計算方法和MOS驅(qū)動基礎(chǔ)[ 2020-09-09 14:45 ]

mos管功耗-mos管功耗計算方法和MOS驅(qū)動基礎(chǔ)MOS管功耗，要確定一個MOSFET場效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對其功率耗散進(jìn)行計算。耗散主要包括阻抗耗散和開關(guān)耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHINGmos管功耗-低功耗趨勢封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)格的產(chǎn)品，個頭小的，功率耗散才能更高，這似乎與我們的生活常識有些相悖，但是事實確實如此。VMOS的通態(tài)功耗，業(yè)界習(xí)氣于用飽和導(dǎo)通電阻RDS(ON)來權(quán)衡，這是不太客觀的，由于

http://www.kannic.com/Article/mosgghmosg_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地 址/Address

地址/Address