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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-12-15 瀏覽：-TK4P50D場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) TK4P50D參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕
TK4P50D參數(shù)資料,選型替代,TK4P50D封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊(cè),MOS管生產(chǎn)廠家
漏源電壓(VDSS)：500V
柵源電壓(VGSS)：±30V
雪崩電流(IAR)：4A
漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：4A
漏極電流-脈沖(IDP)：16A
單脈沖雪崩能量(EAS)：114mJ
重復(fù)雪崩能量(EAR)：8mJ
功耗(TC=25°C)(PD)：80W
工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150°С
熱阻-結(jié)到外殼(RθJC)：1.56°C/W
熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA)：125°C/W
〔壹芯微〕國內(nèi)功率半導(dǎo)體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數(shù)達(dá)標(biāo)，質(zhì)量保障，工廠直銷(價(jià)省20%)，免費(fèi)送樣，選型替代，技術(shù)支持，專業(yè)售后，如需了解產(chǎn)品詳情或最新報(bào)價(jià)，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服。
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