在電力電子領域，準確度是至關重要的一個因素。仿真的精確性直接受到所使用的器件模型真實性的影響。不管是 IGBT、硅碳 (SiC) 還是硅基 MOSFET，其仿真的可信度都與模型的準確性緊密相連。有句古話說，“進垃圾，出垃圾”，意指如果輸入的數據質量差，輸出的結果也同樣不佳。

在設計系統級模型時，設計師通常依據產品手冊中的實驗室測試數據（如導通損耗、能量損耗和熱阻等）來構建，而這一做法也被大多數行業標準采用。但是，這些基于手冊的模型來源于特定的實驗室設置和環境，通常不能全面反映出現實中各種環境條件。事實上，制造商的實驗室環境與設計師的實際應用環境往往完全不同，這種差異可能導致仿真結果與實際應用中的偏差極大，誤差率可能高達 20-30% 甚至更多。因此，需要改進現有的模型構建方法。

安森美的 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 具有創新性，允許用戶輸入特定環境條件，創建定制的模型。這就像是為您專門量身定做衣服的高級裁縫，根據具體應用需求精確制作模型。

在設計電力電子解決方案時，利用定制化仿真可以大大提高模型的精準度。安森美的 SSPMG 仿真工具不僅關注于實驗室的測量數據，更側重于用戶實際使用環境的特定需求。這種方法支持用戶根據電氣偏壓和溫度條件定制數據密集的參數表，以確保數據點之間的精確插值，并盡量減少對外推的需求。

此外，SSPMG 還提供了所謂的“邊界模型”，這些模型反映了制造過程中的不同條件，如閾值電壓、RDSon、擊穿電壓、電容等的變化，這對于測量器件的能量損耗、導通損耗和溫度行為至關重要。

軟開關和硬開關的區別在電力電子領域非常關鍵。硬開關可以通過雙脈沖測試 (DPT) 精確測量損耗，而軟開關的性能則更受拓撲和操作模式的影響。安森美為軟開關設計了特定的轉換損耗測試方法，這提高了這一領域經常被忽略的模型精度。

這些仿真工具的特點還包括支持在多個應用階段和場景中修改模型，包括柵極驅動電壓的調整，使得設計人員能夠為特定應用生成高度精確的損耗模型。例如，直流快速充電 (DCFC) 系統的仿真分析就顯示了第一代與第三代 SiC 半橋模塊的效率比較，仿真結果與實驗數據高度吻合。

通過這種基于高度定制化和實時調整的建模方法，電力電子設計師不僅可以快速評估多種場景，而且可以更經濟、更高效地獲得重要的設計信息，這是傳統測量技術所無法比擬的。